一种单发射腔半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单发射腔的半导体激光器的封装结构，包括绝缘基底，激光芯片和导电金线。所述的绝缘基底上设置导电区，芯片安装区和绝缘带，所述的导电区包括导电区A和导电区B，芯片安装区设置于绝缘基底的中部，芯片安装区两侧分别依次设置导电区A，绝缘带，导电区B。这种设置了两条绝缘带的绝缘基底结构，可以适应多种后端光纤耦合器件需求，具有较好的兼容性，提高了生产效率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体激光器
，涉及一种单发射腔半导体激光器封装结构。
技术介绍
半导体激光器的光纤耦合模块具有体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、成本低的优点，目前已经广泛应用于国民经济的各个领域，比如激光显示、安防设备，夜视照明，医疗以及工业加工领域。用于光纤耦合模块的单发射腔半导体激光器常用COC（Chiponcarrier）封装形式，图1和图2均为现有常见的COC封装结构，包括绝缘基底1，激光芯片2和导电金线3，上述绝缘基底1上设置芯片安装区7和导电区4，芯片安装区7设置于绝缘基底1中部，芯片安装区7两侧各设置一个导电区4，芯片安装区7与其中一个导电区相连（作为正极区），与另一个导电区（作为负极区）之间设置绝缘带，激光芯片的正极安装在芯片安装区，芯片负极通过金线与负极区连接。在实际应用中，设置好导电区和芯片安装区的基底作为半成品提供给后端产品的生产者，由于上述基底结构在芯片安装之前已经决定了正极区和负极区的位置（靠近绝缘带的导电区为负极区），图1为左正右本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单发射腔半导体激光器，其特征在于：包括绝缘基底，激光芯片和导电金线；所述的绝缘基底上设置导电区，芯片安装区和绝缘带；所述的导电区包括导电区A和导电区B，芯片安装区设置于绝缘基底的中部，芯片安装区两侧分别依次设置导电区A，绝缘带，导电区B；所述的导电区A与芯片安装区电连通，导电区B与芯片安装区绝缘；所述的激光芯片正极键合于芯片安装区，所述的导电金线用于激光芯片负极与导电区B的电连接，或者导电区A与导电区B的电连接。

【技术特征摘要】
1.一种单发射腔半导体激光器，其特征在于：包括绝缘基底，激光芯片和导电金线；所
述的绝缘基底上设置导电区，芯片安装区和绝缘带；所述的导电区包括导电区A和导电区B，
芯片安装区设置于绝缘基底的中部，芯片安装区两侧分别依次设置导电区A，绝缘带，导电
区B；所述的导电区A与芯片安装区电连通，导电区B与芯片安装区绝缘；所述的激光芯片正
极键合于芯片安装区，所述的导电金线用于激光芯片负极与导电区B的电连接，或者导电区
A与导电区B的电连接。
2.根据权利要求1所述的单发射腔半导体激光器，其特征在于：所述的激光芯片出光方
向左边的导电区A通过导电金线与激光芯片出光方向左边的导电区B连接，激光芯片的负极<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚龙，梁雪杰，贺永贵，刘兴胜，
申请(专利权)人：西安炬光科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61