反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室内设置有用于承载被加工工件的基座，该基座位于反应腔室的底板上方，其在反应腔室的底板上沿其周向环绕设置有挡环，该挡环用于阻挡滑落的被加工工件，以使其停留在反应腔室的底板上的可视范围内；可视范围为自反应腔室的内侧壁与基座的外周壁之间间隙能够观察到的范围。本发明专利技术提供的反应腔室，其可以防止被加工工件滑落至位于基座下方无法看到的位置，从而操作人员可以直接从反应腔室取出滑落的被加工工件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，具体地，涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
LEDPECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)设备主要用于在蓝宝石或硅片表面沉积镀膜(例如SiN/SiO等)。目前，LEDPECVD设备的反应腔室普遍采用手动取放片设计，即，依靠操作人员手动将晶片放置在反应腔室内的下电极上，以进行沉积工艺。图1为现有的反应腔室的局部剖视图。如图1所示，在反应腔室10内设置有用于承载晶片的下电极11，该下电极11由沿其周向均匀分布的三个固定柱12支撑。而且，在反应腔室10的底板101上设置有排气口，该排气口与设置在反应腔室10底部的过渡腔14连接，用以排出反应后的废气。上述反应腔室10在实际应用中不可避免的存在以下问题：由于下电极11的外周壁与反应腔室10的侧壁之间具有间隙102，在操作人员取放片的过程中，极易将晶片13沿着间隙102掉落到反应腔室10的底板101上，而且，由于反应腔室10的侧壁与底板之间的夹角为圆角过渡、该圆角的半径较大且表面光滑，因此晶片13会沿圆角弧面顺势滑落至底板101上，位于下电极11下方的位置。由于此位置超过操作人员目测的有效范围，因而要想取出晶片只能拆卸下电极11或者过渡腔14的底板，拆除工作量较大。如果不取出晶片而继续工艺，晶片可能在真空力的作用下，向过渡腔14的位置靠近，并掉落到过渡腔14的底板上，导致在必要时需要停机并拆卸该底板进行取片，从而降低了工艺效率。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室及半导体加工设备，其可以防止被加工工件滑落至位于基座下方无法看到的位置，从而操作人员可以直接从反应腔室取出滑落的被加工工件。为实现本专利技术的目的而提供一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载被加工工件的基座，所述基座位于所述反应腔室的底板上方，在所述反应腔室的底板上沿其周向环绕设置有挡环，所述挡环用于阻挡滑落的被加工工件，以使其停留在所述反应腔室的底板上的可视范围内；所述可视范围为自所述反应腔室的内侧壁与所述基座的外周壁之间的间隙能够观察到的范围。优选的，在所述反应腔室内还设置有沿所述基座的周向均匀分布的至少三个支撑柱，用以支撑所述基座；并且，所述支撑柱的下端固定在所述反应腔室的底板上，且在所述支撑柱的下端形成有定位部，用以限定所述挡环在所述底板上的位置。优选的，在所述挡环的底面上设置有多个定位凹槽，所述多个定位凹槽的数量与所述定位部的数量相对应，且各个定位凹槽一一对应地与各个定位部相配合。优选的，在所述挡环的底面上设置有多个定位凹槽，所述多个定位凹槽的数量是所述定位部的数量的整数倍，且其中一部分定位凹槽一一对应地与各个定位部相配合；在其中另一部分定位凹槽内设置有阻挡件，用以使所述滑落的被加工工件无法通过该部分定位凹槽。优选的，所述阻挡件包括一个或者间隔排布的多个螺钉，所述螺钉自所述定位凹槽的底面与所述挡环螺纹连接，所述螺钉的螺帽位于所述定位凹槽内，用以阻挡所述滑落的被加工工件。优选的，在所述挡环上，且位于每相邻的两个定位凹槽之间的间隙处均匀排布有贯穿所述挡环的径向厚度的多个通气孔；所述通气孔的尺寸被设置为：使所述滑落的被加工工件无法通过。优选的，所述挡环采用一体式结构；或者，所述挡环采用由多个分段组成的分体式结构，各个分段之间采用可拆卸的方式连接；并且，所述多个分段相对于所述挡环的轴向中心线对称分布，且各个分段的结构和尺寸相同。优选的，所述分段的数量与所述定位凹槽的数量相等；各个定位凹槽一一对应地位于各个分段的中心位置；所有的所述通气孔被平均分配在各个分段上，且每个分段上的通气孔对称、且均匀排布在所述定位凹槽的两侧。优选的，每个分段的两端分别设置有上连接部和下连接部，其中，在所述上连接部上设置有沉孔；在所述下连接部上设置有螺纹孔；在所述多个分段中，任意一个分段的上连接部和与之相邻的一个分段的下连接部相互叠置，且所述沉孔与所述螺纹孔相对应；通过将螺钉安装在所述沉孔和所述螺纹孔中，而使所述上连接部和下连接部固定连接。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种半导体处理设备，包括反应腔室，所述反应腔室为本专利技术提供的上述反应腔室。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的反应腔室，其通过在反应腔室的内壁上设置沿其周向环绕的挡环，可以阻挡滑落的被加工工件，使其停留在反应腔室的内壁上的可视范围内，从而操作人员在可以看到滑落的被加工工件的条件下，能够直接自反应腔室取出该被加工工件，这与现有技术相比，无需进行任何拆除工作，从而可以减少操作人员的工作量。本专利技术提供的半导体加工设备，其通过采用本专利技术提供的上述反应腔室，可以阻挡滑落的被加工工件，使其停留在反应腔室的内壁上的可视范围内，从而操作人员在可以看到滑落的被加工工件的条件下，能够直接自反应腔室取出该被加工工件，这与现有技术相比，无需进行任何拆除工作，从而可以减少操作人员的工作量。附图说明图1为现有的反应腔室的局部剖视图；图2A为本专利技术实施例提供的反应腔室的局部剖视图；图2B为图2A中I区域的放大图；图2C为图2A中沿A-A线的剖视图；图3A为本专利技术实施例提供的反应腔室的挡环的立体图；图3B为图3A中挡环的其中一个分体的透视图；以及图3C为图3A中挡环的横截面的剖视图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的反应腔室及半导体加工设备进行详细描述。图2A为本专利技术实施例提供的反应腔室的局部剖视图。图2B为图2A中I区域的放大图。图2C为图2A中沿A-A线的剖视图。请一并参阅图2A～图2C，在反应腔室20内设置有用于承载被加工工件的基座21，该基座21可以根据不同的应用作为下电极和/或加热器。在本实施例中，反应腔室20为PECVD腔室，基座21用作下电极，其由三个支撑柱23支撑，三个支撑柱23沿基座21的周向均匀分布，以保证反应腔室内的气流分布的均匀性。而且，每个支撑柱23的下端固定在底板201上，以使基座21位于底板201上方；同时，在底板201的中心位置处还设置有排气口203，该排气口203与过渡腔24连接，用以排出反应后的废气。在实际应用中，根据不同的应用，基座本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载被加工工件的基座，所述基座位于所述反应腔室的底板上方，其特征在于，在所述反应腔室的底板上沿其周向环绕设置有挡环，所述挡环用于阻挡滑落的被加工工件，以使其停留在所述反应腔室的底板上的可视范围内；所述可视范围为自所述反应腔室的内侧壁与所述基座的外周壁之间的间隙能够观察到的范围。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载被加工工
件的基座，所述基座位于所述反应腔室的底板上方，其特征在于，在
所述反应腔室的底板上沿其周向环绕设置有挡环，所述挡环用于阻挡
滑落的被加工工件，以使其停留在所述反应腔室的底板上的可视范围
内；所述可视范围为自所述反应腔室的内侧壁与所述基座的外周壁之
间的间隙能够观察到的范围。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应
腔室内还设置有沿所述基座的周向均匀分布的至少三个支撑柱，用以
支撑所述基座；并且，
所述支撑柱的下端固定在所述反应腔室的底板上，且在所述支
撑柱的下端形成有定位部，用以限定所述挡环在所述底板上的位置。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述挡环
的底面上设置有多个定位凹槽，所述多个定位凹槽的数量与所述定位
部的数量相对应，且各个定位凹槽一一对应地与各个定位部相配合。
4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述挡环
的底面上设置有多个定位凹槽，所述多个定位凹槽的数量是所述定位
部的数量的整数倍，且其中一部分定位凹槽一一对应地与各个定位部
相配合；在其中另一部分定位凹槽内设置有阻挡件，用以使所述滑落
的被加工工件无法通过该部分定位凹槽。
5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述阻挡件
包括一个或者间隔排布的多个螺钉，
所述螺钉自所述定位凹槽的底面与所述挡环螺纹连接，所述螺
钉的螺帽位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王福来，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11