传输系统、反应腔室及半导体加工设备技术方案

本发明专利技术提供一种传输系统、反应腔室及半导体加工设备，传输系统包括传输装置和门阀，在传输装置上设置有与反应腔室相连通的传输通道，传输通道用于作为被加工工件移入或移出反应腔室的通道，门阀用于开启或封闭传输通道，门阀设置在传输通道的与反应腔室相连通的端口处，并且门阀采用翻转的方式开启或封闭所述传输通道。本发明专利技术提供传输系统，其可以避免工艺气体扩散至传输通道内，因而可以避免反应腔室的中心区域的工艺气体的流速降低出现涡流现象，从而可以提高反应腔室内工艺气体分布的均匀性，进而可以提高工艺质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种传输系统、反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
娃外延设备用于生产娃外延片,其工作原理具体为:向高温(> IlOO0C )的衬底上输送硅的化合物，并利用氢气(H2)在衬底上通过还原反应析出硅。在实际应用中，为了防止外界环境影响反应腔室的内部环境，从而影响工艺质量，通常在工艺过程中要保证反应腔室密封。图1为现有的硅外延设备的结构示意图。图2为图1所示的硅外延设备的左视图。请一并参阅图1和图2，硅外延设备包括反应腔室10、承载装置11、传输装置12和门阀15，承载装置11设置在反应腔室10的底部，用于承载被加工工件S ;传输装置12具体为法兰，在传输装置12上设置有与反应腔室10相连通的传输通道14，用以作为传输被加工工件S的通道；并且，在传输装置12上还设置有进气口，用以向反应腔室10内输送工艺所需的工艺气体，并且，进气口的数量为多个，且沿水平方向排列，多个进气口包括向反应腔室10的中心区域输送工艺气体的多个进气口 12a，以及向反应腔室10的边缘区域输送工艺气体的多个进气口 12b和12c ;门阀15设置在传输装置12的不与反应腔室10相连通的端口处，且可沿该端口上升或者下降，用以开启或封闭传输通道14 ;另外，在反应腔室10的腔室壁上与进气口相对的位置处设置排气口 13，用于将反应腔室10内工艺过程中产生的废气以及未完成工艺的工艺气体排出反应腔室10。下面详细描述采用上述反应腔室进行工艺的工作过程:具体地，包括以下步骤，SI，门阀15下降将传输通道14打开，机械手将未完成工艺的被加工工件S经由该传输通道14传入反应腔室10内，之后空载的机械手经由该传输通道14传出反应腔室10，门阀15上升将传输通道14关闭；S2，经由进气口 12a、12b和12c向反应腔室10内输送工艺气体，以在被加工工件S上完成工艺；S3，门阀15下降将传输通道14打开，机械手将完成工艺的被加工工件S经由该传输通道14传出反应腔室10，之后门阀15上升将传输通道14关闭，单次工艺结束。然而，采用上述硅外延设备在实际应用中不可避免地存在以下问题，即:由于门阀15设置在传输装置12的不与反应腔室10相连通的端口处，使得传输通道14在工艺过程中始终与反应腔室10相连通，并且由于向反应腔室10的中心区域输送工艺气体的多个进气口 12a靠近传输通道14，这使得向反应腔室10的中心区域输送的工艺气体容易扩散至传输通道14内，因而容易导致反应腔室10的中心区域的工艺气体的流速降低，且容易出现涡流现象，如图3和图4所示，从而导致反应腔室内工艺气体的均匀性差，进而造成工艺质量差。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种传输系统、反应腔室及半导体加工设备，其可以避免反应腔室的中心区域的工艺气体的流速降低出现涡流现象，从而可以提高反应腔室内工艺气体分布的均匀性，进而可以提高工艺质量。本专利技术提供了一种传输系统，包括传输装置和门阀，在所述传输装置上设置有与反应腔室相连通的传输通道，所述传输通道用于作为被加工工件移入或移出所述反应腔室的通道，所述门阀用于开启或封闭所述传输通道，所述门阀设置在所述传输通道的与所述反应腔室相连通的端口处，并且所述门阀采用翻转的方式开启或封闭所述传输通道。其中，还包括滑道，所述滑道包括固定端和延伸端，所述固定端固定在所述传输通道的与所述反应腔室相连通的端口的上方或下方，所述延伸端自所述固定端向远离所述端口的方向延伸；所述门阀具有旋转轴，所述旋转轴与所述滑道可在所述固定端和延伸端之间滑动的连接。其中，所述门阀在开启所述传输通道时通过所述旋转轴自所述固定端沿所述滑道滑动至所述延伸端，并环绕所述旋转轴顺时针或逆时针翻转至预定位置；所述门阀在关闭所述传输通道时环绕所述旋转轴逆时针或顺时针旋转至与所述端口平行的位置，并通过所述旋转轴自所述延伸端沿所述滑道滑动至所述固定端。其中，所述滑道水平设置，所述滑道的延伸端自所述固定端向远离所述端口的方向水平延伸。其中，在所述门阀与位于所述端口周围的端面之间设置有密封件，用以在所述门阀封闭所述传输通道时对二者之间的间隙进行密封。其中，所述密封件包括密封圈。其中，还包括控制开关，所述控制开关用于控制所述门阀将所述传输通道开启或封闭。本专利技术还提供一种反应腔室,包括传输系统，用于将未完成工艺的被加工工件传入所述反应腔室内，以及将已完成工艺的被加工工件自所述反应腔室传出，所述传输系统采用本专利技术提供的上述传输系统。其中，在所述传输系统的传输装置上还设置有中心进气口和边缘进气口，且所述中心进气口设置在所述传输装置上传输通道的上方，所述中心进气口用于向所述反应腔室的中心区域输送工艺气体；所述边缘进气口用于向所述反应腔室的边缘区域输送工艺气体。本专利技术还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室采用本专利技术提供的上述反应腔室。本专利技术具有下述有益效果:本专利技术提供的传输系统，其借助将门阀设置在传输通道的与反应腔室相连通的端口处，且门阀采用翻转的方式开启或封闭传输通道，可以避免在工艺过程中工艺气体扩散至传输通道内，因而可以避免反应腔室的中心区域的工艺气体的流速降低出现涡流现象，从而可以提高反应腔室内的工艺气体分布的均匀性，进而可以提高工艺质量。本专利技术提供的反应腔室，其采用本专利技术提供的传输系统，可以提高反应腔室内工艺气体分布的均匀性，从而可以提高工艺质量。本专利技术提供的半导体加工设备，其采用本专利技术提供的反应腔室，可以提高反应腔室内工艺气体分布的均匀性，从而可以提高工艺质量，进而可以提高半导体加工设备的良品率。【附图说明】图1为现有的硅外延设备的结构示意图；图2为图1所示的硅外延设备的左视图；图3为Ansys软件模拟的反应腔室内气体流速矢量图；图4为Ansys软件模拟的反应腔室内气体轨迹图；图5为本专利技术第一实施例提供的传输系统的结构示意图；图6为采用本专利技术第一实施例提供的传输系统进行Ansys软件模拟的反应腔室内气体流速矢量图；图7为采用本专利技术第一实施例提供的传输系统进行Ansys软件模拟的反应腔室内气体轨迹图；图8为本专利技术第二实施例提供的传输系统的结构示意图；图9为门阀在开启传输通道的过程示意图；图10为门阀在关闭传输通道的过程示意图；图11为本专利技术第二实施例提供的传输系统的另一种结构示意图；图12为本专利技术提供的反应腔室的结构示意图；以及图13为图12中的反应腔室的左视图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的传输系统、反应腔室及半导体加工设备进行详细描述。图5为本专利技术第一实施例提供的传输系统的结构示意图。请参阅图5，本专利技术提供的传输系统包括传输装置20和门阀21，在传输装置上设置有与反应腔室相连通的传输通道201，传输装置20具体地可以为法兰，传输通道201用于作为被加工工件移入或移出反应腔室的通道，门阀21用于开启或封闭传输通道201，门阀21设置在传输通道201的与反应腔室相连通的端口处(如图5中，传输通道201的右侧端口)，并且门阀21采用翻转的方式开启或封闭传输通道201。在本实施例中，门阀21的一端通过旋转轴22固定在传输通道201的与反应腔室相连通的端口的下方(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传输系统，包括传输装置和门阀，在所述传输装置上设置有与反应腔室相连通的传输通道，所述传输通道用于作为被加工工件移入或移出所述反应腔室的通道，所述门阀用于开启或封闭所述传输通道，其特征在于，所述门阀设置在所述传输通道的与所述反应腔室相连通的端口处，并且所述门阀采用翻转的方式开启或封闭所述传输通道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张慧，吴军，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11