【技术实现步骤摘要】
本专利技术的领域是用于光信号放大或者相位调制的半导体器件领域。用于放大的器件被统称为通用名SOA(半导体光放大器)。
技术介绍
用于光信号放大或者调制的当前半导体器件具有若干缺点。首先，有源介质光增益的光增益的变化固有地与该有源介质的光指标的变化相关联，即增益变化引起光信号的幅度变化，而光指标变化引起相位变化。在这些情况中，不可能获得独立地幅度调制和相位调制的信号。这种现象会明显地降低DPSK或者DOPSK类型光调制器的性能。其次，光放大器件具有重大缺点。当光信号的功率变得太高时，很难维持恒定增益。图1、图2和图3描述这种原理。图1示出了具有有源区1的放大器的示意图，其中待放大的光信号S通过该有源区1，所述信号通过条形直箭头示意性地示出。传统地，该有源区1位于分别为n-掺杂和p-掺杂的两个半导体层2和3之间。图2示出了该放大器的放大增益G根据波长λ的变化。增益经过一个对于特定波长和特定电流的增大值。图3示出了增益G根据进入放大器的光信号的初始光功率PIN的变化。高于特定光功率(被称为饱和功率PSAT)，增益迅速减少。通常，PSAT是与最大增益GMAX减去3dB...
【技术保护点】
一种半导体光放大器，用于放大可变幅度的光信号（Ｓ），所述放大器受电流发生器控制并且包括至少一个具有量子点结构的有源区（１），所述结构的原子拥有称为基态（ＧＳ）的第一能量过渡态和称为激发态的第二能量过渡态（ＥＳ），其特征在于：所述有源区放置在结构化的谐振腔中，以便在对应于所述基态的第一波长（λ↓［ＧＳ］）处谐振，所述电流发生器供给比所述基态的饱和电流（Ｉ↓［Ｓ］）大并且基本上恒定的电流（Ｉ），所述光信号（Ｓ）的波长比所述第一波长（λ↓［ＧＳ］）大。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：贝亚特丽斯达让斯，
申请(专利权)人：阿尔卡特公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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