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本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备ｎ－ＧａＮ基板（１０１）的工序（Ａ）；在基板（１０１）上形成具有与基板（１０１）的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序（Ｂ）；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有ｎ型杂质的Ａｌ↓［ｘ］...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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