【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在具有空间的管壳内收容半导体元件的高频用半导体 装置。
技术介绍
近来有一种趋势，即微波通信等的大功率化要求增高，并且收容于管 壳内的微波半导体元件的芯片大小及芯片合成数增大的趋势。从而，管壳 的尺寸增大，由管壳与微波传播方向正交的方向(横向)的长度决定的截 止频率下降到使用频率附近。由于该截止频率的下降，因而产生由在内部激励的波导管传播模式及波导管谐振模式导致的从输出方对输入方的绝缘 劣化和频率特性劣化。为了防止这种特性的劣化，如图1所示，利用接地导体隔开管壳内的 空间，防止截止频率的下降等特性劣化的半导体装置已为众所周知(参见专利文献1)。该以往半导体装置中的尺寸假设容器的纵向长度为al、横 向长度为bl、高度为cl (未图示)。也就是说，该以往的半导体装置其结 构为，将单元半导体元件横向排列多个。就这样横向排列多个作为单元的半导体元件的结构而言，由于半导体 装置的大功率化，因而散热成为问题。也就是说，因为在有限的封装宽度 内排列很多半导体元件，所以相互接近，对出自背面的热辐射存在限度。另外，由于在配设于封装内部的隔板和盖子之间易于产生空隙...
【技术保护点】
一种高频用半导体装置，其特征为： 具备２个单元半导体装置，该单元半导体装置具备： 接地基板，具有散热功能； 高频用半导体元件，设置于该接地基板上； 输入方匹配电路，连接于上述高频用半导体元件； 输出方匹配电路，连接于上述高频用半导体元件； 侧壁部，至少包围上述高频用半导体元件、上述输入方匹配电路及上述输出方匹配电路； 输入用端子，连接于上述输入方匹配电路；以及 输出用端子，连接于上述输出方匹配电路； 上述２个单元半导体装置的上述侧壁部的上端被相互对齐。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。