水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统技术方案

本实用新型专利技术是水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其结构是副槽位于机架内一侧，溢流槽位于机架内另一侧上方且与副槽相通，溢流槽和副槽上方罩设有顶板，电化学沉积槽位于溢流槽内且顶部穿过顶板，电化学沉积槽侧壁设有与溢流槽相通的溢流口，电化学沉积槽底部中心设穿过溢流槽底部的进液排液口，进液排液口通过带有循环泵的循环管道连接副槽。本实用新型专利技术的优点：结构设计合理，电化学液体由副槽经过循环泵从循环管道由进液排液口泵入电化学沉积槽内并通电，对产品进行有效充分电化学沉积，处理时电化学液体可从溢流口溢流到溢流槽内，流回副槽。配合水平式晶圆电化学沉积设备，可实现电化学液的有效循环输送，改善了处理效果。了处理效果。了处理效果。

【技术实现步骤摘要】
水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统


[0001]本技术涉及的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]芯片在制作中，需要对晶圆进行电化学沉积方式，在晶圆表面及孔内镀上一层硫酸铜，铜离子在晶圆上形成一层铜层。然后对晶圆表面进行研磨，以达到对晶圆孔内进行填充的目的。
[0004]现有技术中的晶圆电化学沉积设备一般为垂直式，其对于晶圆表面小而深的孔填孔效果较差，其填孔能力仅能达到98～99％，效果较差，且生产效率较低，一次生产时间需要4h左右。
[0005]如何设计合理的电化学液循环系统，关系到水平式晶圆电化学沉积设备中电化学液的有效循环输送，影响电化学沉积效果。

技术实现思路

[0006]本技术提出的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，配合水平式晶圆电化学沉积设备，实现电化学液的有效循环输送，改善处理效果。
[0007]本技术的技术解决方案：水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其结构包括安装在机架上的电化学沉积槽、溢流槽、副槽、循环管道和循环泵，其中副槽位于机架内一侧，溢流槽位于机架内另一侧上方且与副槽相通，溢流槽和副槽上方罩设有顶板，电化学沉积槽位于溢流槽内且顶部穿过顶板，电化学沉积槽侧壁设有与溢流槽相通的溢流口，电化学沉积槽底部中心设穿过溢流槽底部的进液排液口，进液排液口通过带有循环泵的循环管道连接副槽。
[0008]优选的，所述的副槽侧壁上优选设有液位视窗。
[0009]本技术的优点：结构设计合理，工作时，电化学液体由副槽经过循环泵从循环管道由进液排液口泵入电化学沉积槽内并通电，对产品进行有效充分电化学沉积，处理时电化学液体可从溢流口溢流到溢流槽内，流回副槽。配合水平式晶圆电化学沉积设备，可实现电化学液的有效循环输送，改善了处理效果。
附图说明
[0010]图1是本技术水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统的结构示意图。
[0011]图2是图1去除顶板及上方部件后的结构示意图。
[0012]图中的1是机架、2是顶板、3是电化学沉积槽、4是溢流槽、5是副槽、6是液位视窗、7
是进液排液口、8是溢流口。
具体实施方式
[0013]下面结合实施例和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0014]如图1、2所示，水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其结构包括安装在机架1上的电化学沉积槽3、溢流槽4、副槽5、循环管道和循环泵，其中副槽5位于机架1内一侧，溢流槽4位于机架1内另一侧上方且与副槽5相通，溢流槽4和副槽5上方罩设有顶板2，电化学沉积槽3位于溢流槽4内且顶部穿过顶板2，电化学沉积槽3侧壁设有与溢流槽4相通的溢流口8，电化学沉积槽3底部中心设穿过溢流槽4底部的进液排液口7，进液排液口7通过带有循环泵的循环管道连接副槽5。
[0015]所述的副槽5侧壁上优选设有液位视窗6。可直观观察液位，及时补液。
[0016]根据以上结构，工作时，放置产品到电化学沉积槽内，启动设备，电化学液体硫酸铜溶液由副槽经过循环泵从循环管道由进液排液口泵入电化学沉积槽内并通电，对产品进行有效充分电化学沉积，处理时电化学液体可从溢流口溢流到溢流槽内，流回副槽。
[0017]以上所述各部件均为现有技术，本领域技术人员可使用任意可实现其对应功能的型号和现有设计。
[0018]以上所述的仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其特征包括安装在机架(1)上的电化学沉积槽(3)、溢流槽(4)、副槽(5)、循环管道和循环泵，其中副槽(5)位于机架(1)内一侧，溢流槽(4)位于机架(1)内另一侧上方且与副槽(5)相通，溢流槽(4)和副槽(5)上方罩设有顶板(2)，电化学沉积槽(3)位于溢流槽(4)内且顶部穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李程，孙永胜，祁志明，李松松，
申请(专利权)人：无锡吉智芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：