水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽制造技术

本实用新型专利技术是水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽，其结构包括安装在机架上的槽体支架内的沉积槽本体，槽体支架侧壁设溢流口，沉积槽本体内设搅拌机构，沉积槽本体包括从下至上依次设置的铜球放置钛篮、下均匀性孔板、环形的安装板、可转动的的内定齿轮环、与溢流口连通的带溢流口环形板、上均匀性孔板和环形侧壁，上均匀性孔板上方放置产品，铜球放置钛篮底部连接阳极接线，阳极接线接触槽体支架内底部阳极接线柱，环形侧壁外侧面连接阴极接线，槽体支架底部还设进液/排液口。本实用新型专利技术的优点：可有效支撑产品，设置双层均匀性孔板，配合搅拌机构，可对产品进行有效充分电化学沉积，有助于提高整体设备填孔能力、片内均匀性和生产效率。和生产效率。和生产效率。

【技术实现步骤摘要】
水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽


[0001]本技术涉及的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽，属于晶圆制造


技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]芯片在制作中，需要对晶圆进行电化学沉积方式，在晶圆表面及孔内镀上一层硫酸铜，铜离子在晶圆上形成一层铜层。然后对晶圆表面进行研磨，以达到对晶圆孔内进行填充的目的。
[0004]现有技术中的晶圆电化学沉积设备一般为垂直式，其对于晶圆表面小而深的孔填孔效果较差，其填孔能力仅能达到98～99％，效果较差，且生产效率较低，一次生产时间需要4h左右。
[0005]如何设计一种结构合理的电化学沉积槽，是改善现有技术上述缺陷的重要手段。

技术实现思路

[0006]本技术提出的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽，其目的旨在克服现有技术存在的上述不足，作为进行电化学沉积的主要区域，有助于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽，其特征包括安装在机架(1)上的槽体支架(7)内的沉积槽本体，槽体支架(7)侧壁设溢流口(2)，沉积槽本体内设搅拌机构，沉积槽本体包括从下至上依次设置的铜球放置钛篮(15)、下均匀性孔板(14)、环形的安装板(16)、内外圈都有齿的可转动的内定齿轮环(13)、与溢流口(2)连通的带溢流口环形板(21)、上均匀性孔板(19)和环形侧壁(6)，上均匀性孔板(19)上方放置产品(5)，铜球放置钛篮(15)底部连接阳极接线(10)，阳极接线(10)接触槽体支架(7)内底部阳极接线柱(11)，环形侧壁(6)外侧面连接阴极接线(9)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁志明，李松松，孙永胜，李程，
申请(专利权)人：无锡吉智芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：