【技术实现步骤摘要】
水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽搅拌机构
[0001]本技术涉及的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽搅拌机构。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]芯片在制作中，需要对晶圆进行电化学沉积方式，在晶圆表面及孔内镀上一层硫酸铜，铜离子在晶圆上形成一层铜层。然后对晶圆表面进行研磨，以达到对晶圆孔内进行填充的目的。
[0004]现有技术中的晶圆电化学沉积设备一般为垂直式，其对于晶圆表面小而深的孔填孔效果较差，其填孔能力仅能达到98～99％，效果较差，且生产效率较低，一次生产时间需要4h左右。
[0005]如何设计一种结构合理的电化学沉积槽的搅拌机构，配合电化学沉积槽本体，有助于提高电化学沉积效果，是改善现有技术上述缺陷的重要手段。
技术实现思路
[0006]本技术提出的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽搅拌机构，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，配合电化学沉积槽本体，有效提高电化学沉积效果。
[0007]本技术的技术解决方案：水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽搅拌机构，其结构包括搅拌风叶和马达，搅拌风叶位于安装在机架上的沉积槽内的均匀性孔板上方且由同步齿轮组传动连接，同步齿轮组位于沉积槽中部环形的安装板向内圆心侧的延伸部上且与位于安装板上部的内定齿轮环内圈啮合连接，内定齿轮环外圈啮合连...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽搅拌机构，其特征包括搅拌风叶(9)和马达(3)，搅拌风叶(9)位于安装在机架(1)上的沉积槽内的均匀性孔板(6)上方且由同步齿轮组(8)传动连接，同步齿轮组(8)位于沉积槽(2)中部环形的安装板(7)向内圆心侧的延伸部上且与位于安装板(7)上部的内定齿轮环(5)内圈啮合...
【专利技术属性】
技术研发人员：李松松，孙永胜，祁志明，李程，
申请(专利权)人：无锡吉智芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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