研磨垫用缓冲层制造技术

一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明专利技术提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有２０～１５００ｅｑ／ｔｏｎ离子基的树脂的研磨垫。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种研磨垫，它作为其特征为可在工业上容易进行微细表面加工的研磨垫而利用，并可作为以稳定且高研磨速度对作为半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜或反射镜等的光学材料、玻璃板、金属等的要求高度表面平坦性的材料进行平坦化加工处理的研磨垫而使用。本专利技术的研磨垫，特别适合在将硅晶片、以及在之上形成有氧化物层、金属层等的设备(多层基板)，在层叠·形成这些层之前进行平坦化的工序中使用。本专利技术还涉及上述研磨垫的制造方法以及研磨垫的缓冲层。
技术介绍
作为要求高度表面平坦性的材料的代表例，可例举制造半导体集成电路(IC、LSI)的、称作硅晶片的单晶硅的圆盘。硅晶片在IC、LSI等的制造工序中，为形成用于电路制作的各种薄膜的可信赖的半导体接合，在各薄膜制作工序中要求将表面高精度地平坦地加工。通常，研磨垫被固定在称作压磨板(platen)的可旋转的支撑圆盘上，半导体晶片被固定在可进行自公转运动的被称作研磨头的圆盘上。通过双方的旋转运动，在压磨板和研磨头之间产生相对速度，一边使分散有在碱性溶液或酸性溶液中悬浮二氧化硅系或二氧化铈系等的微细颗粒(磨粒)的研磨材料的溶液(料浆)在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫用缓冲层，由研磨层和缓冲层构成，其特征在于，压缩回复率为９０％以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小野浩一，下村哲生，中森雅彦，山田孝敏，驹井茂，堤正幸，
申请(专利权)人：东洋橡膠工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]