具有微反射器的倒装芯片式发光元件制造技术

一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件，该元件具有一微反射器，通过该微反射器，将由发光层射向该微反射器的光反射导出，以提高发光元件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光元件，尤其关于一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件。
技术介绍
发光元件的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。在此技术中，目前技术人员重要课题的一为如何提高发光元件的发光效率。于台湾专利公告第441859号中提到一种倒装芯片式发光二极管，如图1所示，其特征在于该倒装芯片式发光二极管的第一电极或第二电极具有良好的光反射特性，通过该第一或第二电极，将由发光层射向电极的光反射后带出，然而光在经过反射后抵达发光二极管与周围材料的介面时，仍会受临界角θc的影响，也就是由发光二极管内部射出的光的角度需在2θc的圆锥形内才可以完全射出，超过此角度的光则会被反射。因此当发光二极管所发出的光由高折射率的材料进入折射率低的介质中，此过程会因受到折射率的影响使得出光的角度受很大限制。因此，如何提高外部光摘出效率是一重要课题。
技术实现思路
本案专利技术人在思考如何解决上述的问题时，认为若利用一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件，该微反射器包含一分布式透明几何图案发光叠层，该分布式透明几何图案包含半圆球形、金字塔形或角锥形等几何图案，而该几何图案可以连续分布或不连续分布形成；该分布式透明几何图案发光叠层的形成方法可以蚀刻技术蚀刻该发光元件的发光叠层，形成一分布式透明几何图案发光叠层，或者是以蒸镀或黏着等外加方式形成一分布式透明几何图案发光叠层；接着再以蒸镀技术，于该分布式透明几何图案发光叠层上形成一反射层，该反射层也会具有该特定的图案。当由发光区射向该微反射器的光，会将入射光反射成垂直光带出，因此反射后的垂直光不会受临界角的影响，能够顺利由内部摘出，因而可提高发光元件的亮度。本专利技术的主要目的在于提供一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件，该微反射器包含一分布式透明几何图案发光叠层，该分布式透明几何图案包含半圆球形、金字塔形或角锥形等几何图案，而该几何图案可以连续分布或不连续分布形成；该分布式透明几何图案发光叠层的形成方法可以蚀刻技术蚀刻该发光元件的发光叠层，形成一分布式透明几何图案发光叠层，或者是以蒸镀或黏着等外加方式形成一分布式透明几何图案发光叠层；接着再以蒸镀技术，于该分布式透明几何图案发光叠层上形成一反射层，该反射层也会具有该特定的图案。当由发光区射向该微反射器的光，会将入射光反射成垂直光带出，因此反射后的垂直光不会受临界角的影响，能够顺利由内部摘出。根据本专利技术一优选实施例，一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件包含一基板；形成于该基板上的一第一半导体叠层，其中，该第一半导体叠层的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域；形成于该第一表面区域上的一发光层；形成于该发光层上的一第二半导体叠层；形成于该第二半导体叠层上的一微反射器，其中该微反射器包含分布式透明几何图案层，以及形成于该分布式透明几何图案层上的一反射层；形成该反射层上的一第一接线电极；以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极。上述的基板，是包含选自于GaP、玻璃、SiC、GaN、ZnSe或蓝宝石所构成材料组群中的至少一种材料；上述的反射层是包含选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn或氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；上述的透明几何图案层的外型包含选自半圆球形、金字塔形或角锥形等几何图案所构成形状中的至少一种形状；上述第一半导体叠层，是包含选自AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；上述发光层，是包含选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；上述第二半导体叠层，是包含选自AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。附图说明图1为一示意图，表示一现有技术的倒装芯片式发光元件；图2为一示意图，表示根据本专利技术一优选实施例的一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件；图3为一示意图，表示根据本专利技术另一优选实施例的一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件；图4为一示意图，表示根据本专利技术另一优选实施例的一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件。附图标记1发光元件10 基板11 第一接触层12 第一束缚层13 发光层14 第二束缚层15 分布式透明几何图案第二接触层16 反射层17 第一接线电极18 第二接线电极2发光元件20 基板21 第一接触层22 第一束缚层23 发光层24 第二束缚层25 第二接触层26 反射层27 第一接线电极28 第二接线电极29 绝缘层3发光元件 30 基板300第一反应层301黏结层302第二反应层32 透明导电层33 第一接触层34 第一束缚层35 发光层36 第二束缚层37 分布式透明几何图案第二接触层38 反射层39 第一接线电极40 第二接线电极具体实施方式请参阅图2，根据本专利技术一优选实施例的一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件1，包含一透明基板10、形成于该透明基板10上的一第一接触层11，其中，该第一接触层11的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一束缚层12、形成于该第一束缚层上的一发光层13、形成于该发光层上的一第二束缚层14、形成于该第二束缚层上的一微反射器，其中该微反射器包含一分布式透明几何图案第二接触层15，以及形成于该分布式透明几何图案第二接触层上的一反射层16、形成于该第二表面区域上的一第一接线电极17、以及形成于该反射层上的一第二接线电极18。上述的几何图案可以是连续分布式形成，也可以是间断不连续分布式形成。请参阅图3，根据本专利技术一优选实施例的一种具有微反射器的发光元件2，包括一透明基板20、形成于该透明基板上的一第一接触层21，其中，该第一接触层21的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一微反射器，其中该微反射器包含一分布式透明几何图案发光叠层、形成于该分布式透明几何图案发光叠层周围的一绝缘层29以及形成于该绝缘层上及分布式透明几何图案发光叠层顶端的一反射层26，其中该反射层与该分布式透明几何图案发光叠层顶端形成欧姆接触，该分布式透明几何图案发光叠层包含形成于该第一表面区域上的一第一束缚层22，形成于该第一束缚层上的一发光层23，以及形成于该发光层上的一第二束缚层24、形成于该第二表面区域上的一第一接线电极27、以及形成于该反射层上的一第二接线电极28。上述的几何图案可以是连续分布式形成，也可以是间断不连续分布式形成。请参阅图4，根据本专利技术另一优选实施例，一种具有微反射器的发光元件3，该发光元件是利用晶片接合技术，以直接加压接合，或者是以透明黏结层接合等方式，将晶片接合于一透明基板上；该元件包含一接合透明基板30、形成于该基板30上表面上的一接合介面300、形成于该接合介面层上的一透明导电层32，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一接触层33、形成于该第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有微反射器的倒装芯片式发光元件，包含：一基板；以及形成于该基板上的一微反射器，该微反射器包含一透明几何图案发光叠层，以及形成于该透明几何图案发光叠层上的一反射层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文煌，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]