化学气相沉积的碳化硅制品制造技术

公开了多种化学气相沉积的碳化硅制品及其制造方法。所述化学气相沉积之碳化硅制品系由多个用烧结陶瓷接头连结在一起的部件构成。所述接头加强而且可保持在制品接合处的公差。所述制品可用于半导体加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积的碳化硅制品。更特别的是，本专利技术涉及具 有改良的强度及尺寸公差(dimensional tolerance)的化学气相沉积的碳化硅 制品。
技术介绍
在陶瓷工业中，已知有多种类型的碳化硅。每种类型是由其制法来分 类。每一种方法会提供具有一或更多种不l司的物理或结构性质的碳化硅。 不同炎型的碳化硅的例子包含化学气相沉积的碳化硅、反应粘接的碳化 础、烧结碳化硅、热压碳化硅、以及发泡碳化硅。尽管不同类型的碳化硅 会有一种或更多种重叠的性质，然而它们是不同的，而且容易使用X光绕 射分析与化学分析来区别。各种碳化硅的应用常常取决于它们的不同物理 及结构性质。化学气相沉积的碳化硅(CVD-SiC)有一组性质使得它髙度适合用于特 殊的材料应用。CVD-SiC有高度的热传导性、化学及氧化稳定性、热稳定 性、硬度、抗刮伤性、高电阻、以及理想的稠密度。CVD-SiC高度适用的 应用例子包含用于半导体加工的晶舟(waferboat)、用于湿式清洗台清洗 (wet bench cleaning)的晶圆载具、用于半导体处理室(semiconductof processing c本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制品，其系包含至少两个用烧结陶瓷连结在一起的化学气相沉积之碳化硅部件。

【技术特征摘要】
US 2007-3-9 60/905,9521. 一种制品，其系包含至少两个用烧结陶瓷连结在一起的化学气相沉积之碳化硅部件。2. 如权利要求l所述的制品，其特征在于至少该烧结陶瓷涂有化学气 相沉积之碳化硅层。3. 如权利要求2所述的制品，其特征在于该化学气相沉积之碳化硅涂 层有0.5至3毫米厚。4. 一种制品，其系包含多支棒体，所述棒体的相对端均用烧结陶瓷连 结至各自的端板，所述棒体与所述端板均为化学气相沉积之碳化硅。5. 如权利要求4所述的制品，其特征在于至少该烧结陶瓷涂有化学气 相沉积之碳化硅层。6. 如权利要求4所述的制品，其特征在于所述端板对于彼此的真位置 为2毫米或更小。7. -种制品，其系包含多支棒体，所述多支棒体的各自端之一端是用 烧结陶瓷接头连结...

【专利技术属性】
技术研发人员：MA皮克林，JL特里巴，KD莱斯，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，AGC电子材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]