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电沉积金-碳化硅复合镀层制造技术

技术编号:3131218 阅读:149 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于继电器触点的抗电侵蚀的耐磨复合镀层,是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上.复合镀层中弥散有占镀层体积0.1-10%,粒径小于0.5微米的SiC微粒.这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度,低的摩擦系数,接触电阻略大于金,但低于金合金,并且耐电侵蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强.这种Au-SiC复合镀层可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得.(*该技术在2005年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于继电器触点材料的选用。制作弱电流、小功率、高灵敏度的继电器的电触点,通常采用纯金(包括电镀纯金)或金合金(包括电镀金合金)。金具有优良的导电导热性能,非常好的耐蚀性和抗变色能力,对有机污染的敏感性也很小。但是金的硬度低,抗液桥浸蚀能力差,且摩擦系数大(约为0.94),耐磨性差,价格昂贵。自本世纪六十年代以来,复合电沉积技术迅速发展。1969年培费尔(Peiffer)等人曾报导用电沉积方法获得Au-WC复合镀层用于干簧继电器的电触点。经检索1961至1984年的CA未发现有记载关于Au-SiC复合镀层用于继电器及其电化学形成工艺的文献或专利。本专利技术的目的在于,用复合电镀技术在铜合金或其他金属材料基体上形成一薄层Au-SiC复合物表层。该复合物层将金的优良导电导热性,优异的化学稳定性与碳化硅的耐热耐磨性结合在一起,形成一种缩合性能优良的复合镀层,用在继电器的触点上,可使继电器工作的可靠性和使用寿命大幅度提高。本专利技术的特征是采用电化学沉积的方法,在铜合金或其他金属基体上沉积一薄层Au-SiC复合镀层,SiC微粒的含量占镀层体积的0.1~10%,粒径小于0.5微米。这种复合镀层具有硬度高,Hv达100~180,电镀金层的Hv在90左右,电镀金-钴合金的Hv为140~180,耐磨性好;摩擦系数小于0.5。作为继电器的电触点,Au-SiC复合镀层的接触电阻低,在接触压力为10克,电流10~40毫安条件下,接触电阻≤5mΩ,在同样条件下,金的接触电阻为3.5mΩ,金-钴合金为7mΩ,而且耐电浸蚀,抗腐蚀及抗变色能力强。本专利技术的复合电镀工艺的特点在于,可以在氰化镀金液,酸性镀金液及亚硫酸盐镀金液等电解液中加入一定量的SiC微粒,在整个电镀过程中,使微粒在电解液中充分悬浮。本专利技术的Au-SiC复合电镀工艺实施例如下金(以KAu(CN)2形式 8~12克/升加入)柠檬酸氢二铵 80~110克/升碳化硅微粒(粒径<0.5 0.1~10克/升微米)pH 5.4~5.8镀液温度 30~50℃阴极电流密度 0.1~0.5安/分米2阳极用纯金或钛基镀铂电极。采用机械搅拌或镀液循环使SiC微粒在镀液中充分悬浮。镀层厚度根据需要可在2~50微米间选择。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以金为基的复合镀层用于继电器的电触点,其特征在于在铜合金或其他金属基体上沉积一层Au-SiC复合镀层。复合镀层中弥散有占镀层体积0.1~10%的SiC微粒,粒径小于0.5微米。

【技术特征摘要】
1.一种以金为基的复合镀层用于继电器的电触点,其特征在于在铜合金或其他金属基体上沉积一层Au-SiC复合镀层。复合镀层中弥散有占镀层体积0.1~10%的SiC微粒,粒径小于...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭鹤桐王兆勇邱训高
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:12[中国|天津]

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