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【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微机电(mems),尤其涉及一种横向电场激励谐振器及其的制造方法。
技术介绍
1、电场对压电材料的激励分为横向电场激励(lateral field excitation,lfe)和厚度电场激励(thickness field excitation,tfe)。
2、横向电场激励是指,电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向平行,即,电场的激励方向相对于压电材料的表面而言是横向。厚度电场激励是指,电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向垂直,即,电场的激励方向沿着压电材料的厚度方向。
3、应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、横向电场激励谐振器是基于横向电场激励的谐振器,如何制造能量损失较低的横向电场激励谐振器,是一个亟待解决的课题。
2、为了解决至少上述技术问题或类似的技术问题,本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器及其制造方法。该横向电场激励谐振器中形成有空腔,该空腔的边界可以形成一个声学阻抗失配的边界,由此,压电薄膜中产生的横向传播的声波会由于该边界的阻抗失配而被反射,从而降低该横向电场激励谐振器的能量损失,提高品质因子(即,q值);此外,在本申请的制造方法中,对金属层进行图形化并进行键合,从而实现空腔,工艺简单且可靠性高。
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4、衬底(105);
5、金属支撑层(104m,105m),其设置于所述衬底的表面,所述金属支撑层具有凹陷部,所述凹陷部在纵向上贯穿所述金属支撑层(104m,105m);
6、单晶压电薄膜(101),其被支承于所述金属支撑层(104m,105m),并覆盖所述凹陷部的至少一部分,所述单晶压电薄膜(101)的面向所述凹陷部的第一表面、所述衬底的表面以及所述凹陷部形成空腔(106);以及
7、电极层(102),其设置于所述单晶压电薄膜(101)的至少一个表面,
8、所述电极层(102)包括至少两组指电极(102a),
9、在第一方向上,所述至少两组指电极(102a)交叉设置,
10、各组指电极(102a)分别与对应的总线(102b)连接。
11、本申请实施例还提供一种横向电场激励谐振器的制造方法,该制造方法包括:
12、在单晶压电薄膜(101)的第一表面上形成第一金属支撑层(104m),所述第一金属支撑层(104m)中形成有凹陷部(1041),所述凹陷部在纵向上贯穿所述第一金属支撑层(104m)从而暴露所述单晶压电薄膜(101)的部分所述第一表面;
13、在衬底(105)的表面设置第二金属支撑层(105m);
14、将所述第一金属支撑层(104m)和所述第二金属支撑层(105m)结合;以及
15、去除所述单晶压电薄膜(101)的支撑衬底(100),
16、所述制造方法还包括:
17、在形成所述第一金属支撑层(104m)之前,在所述单晶压电薄膜(101)的所述第一表面上形成电极层(102),并图形化所述电极层(102),以形成指电极;和/或
18、在去除所述支撑衬底(100)之后,在所述单晶压电薄膜(101)的第二表面上形成电极层(102),并图形化所述电极层(102),以形成指电极。
19、本申请实施例的有益效果在于:在横向电场激励谐振器中形成有空腔,由此,横向电场激励谐振器的能量损失较低,q值得到提升;此外,对金属层进行图形化并进行键合,从而实现空腔,工艺简单且可靠性高。
20、参照后文的说明和附图,详细公开了本申请的特定实施方式,指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解,本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的条款的范围内,本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
21、针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用,与其它实施方式中的特征相组合,或替代其它实施方式中的特征。
22、应该强调,术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
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1.一种横向电场激励谐振器的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,
5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
8.一种横向电场激励谐振器,其特征在于,所述横向电场激励谐振器包括:
9.如权利要求8所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,
10.如权利要求8所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,
11.如权利要求8所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,
12.如权利要求11所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,
13.如权利要求11所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,
14.如权利要求13所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,
15.如权利要求14所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,<
...【技术特征摘要】
1.一种横向电场激励谐振器的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,
5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
8.一种横向电场激励谐振器,其特征在于,所述横向电场激励谐振器包括:...
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