【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微机电(mems)，尤其涉及一种横向电场激励谐振器及其制造方法。
技术介绍
1、电场对压电材料的激励分为横向电场激励(lateral field excitation，lfe)和厚度电场激励(thickness field excitation，tfe)。
2、横向电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向平行，即，电场的激励方向相对于压电材料的表面而言是横向。厚度电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向垂直，即，电场的激励方向沿着压电材料的厚度方向。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、横向电场激励谐振器是基于横向电场激励的谐振器，如何降低横向电场激励谐振器的能量损失，是一个亟待解决的课题。
2、为了解决至少上述技术...
【技术保护点】
1.一种横向电场激励谐振器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，
5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
10.如权利要求9所述的制造方
【技术特征摘要】
1.一种横向电场激励谐振器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，
5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
8.如权利要...
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