System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 横向电场激励谐振器及其制造方法技术_技高网
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横向电场激励谐振器及其制造方法技术

技术编号:41417961 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-21 20:51
本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器及其制造方法。该横向电场激励谐振器包括:衬底105;介质层104,其设置于所述衬底的表面,所述介质层的表面具有凹陷部;单晶压电薄膜101,其被支承于所述凹陷部的外周,并覆盖所述凹陷部的至少一部分,所述单晶压电薄膜101与所述凹陷部之间形成空腔106;以及电极层102,其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面,所述电极层102包括至少两组指电极102a,在第一方向上,所述至少两组指电极102a交叉设置,各组指电极102a分别与对应的总线102b连接。本申请的横向电场激励谐振器的能量损失较低,Q值被提升;此外,本申请的制造方法利用牺牲层释放技术来实现空腔,工艺简单且可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微机电(mems),尤其涉及一种横向电场激励谐振器及其制造方法


技术介绍

1、电场对压电材料的激励分为横向电场激励(lateralfieldexcitation,lfe)和厚度电场激励(thicknessfieldexcitation,tfe)。

2、横向电场激励是指,电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向平行,即,电场的激励方向相对于压电材料的表面而言是横向。厚度电场激励是指,电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向垂直,即,电场的激励方向沿着压电材料的厚度方向。

3、应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。


技术实现思路

1、横向电场激励谐振器是基于横向电场激励的谐振器,如何降低横向电场激励谐振器的能量损失,是一个亟待解决的课题。

2、为了解决至少上述技术问题或类似的技术问题,本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器及其制造方法。该横向电场激励谐振器中具有空腔,该空腔的边界可以形成一个声学阻抗失配的边界,由此,压电薄膜中产生的横向传播的声波会由于该边界的阻抗失配而被反射,从而降低该横向电场激励谐振器的能量损失,提高品质因子(即,q值);此外,在本申请的制造方法中,利用牺牲层释放技术来实现空腔,工艺简单且可靠性高。

3、本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器,所述横向电场激励谐振器包括:

4、衬底105;

5、介质层104,其设置于所述衬底的表面,所述介质层的表面具有凹陷部;

6、单晶压电薄膜101,其被支承于所述凹陷部的外周,并覆盖所述凹陷部的至少一部分,所述单晶压电薄膜101与所述凹陷部之间形成空腔106;以及

7、电极层102,其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面,

8、所述电极层102包括至少两组指电极102a,

9、在第一方向上,所述至少两组指电极102a交叉设置,

10、各组指电极102a分别与对应的总线102b连接。

11、本申请实施例还提供一种横向电场激励谐振器的制造方法,该制造方法包括:

12、在单晶压电薄膜101的第一表面上的预定位置形成牺牲层103,所述单晶压电薄膜101设置在支撑衬底100上;

13、在所述第一表面以及所述牺牲层103的表面形成介质层104;

14、将所述介质层104的表面与衬底105键合;

15、去除所述支撑衬底100;以及

16、去除所述牺牲层103,在所述单晶压电薄膜101和所述介质层104之间形成空腔106;

17、所述制造方法还包括:

18、在形成所述牺牲层103之前,在所述单晶压电薄膜101的所述第一表面上形成电极层102,并图形化所述电极层102,以形成指电极;和/或

19、在去除所述支撑衬底100之后,在所述单晶压电薄膜101的所述第二表面上形成电极层102,并图形化所述电极层102,以形成指电极。

20、本申请实施例的有益效果在于:横向电场激励谐振器的能量损失较低,q值得到提升;此外,利用牺牲层释放技术来实现空腔,工艺简单且可靠性高。

21、参照后文的说明和附图,详细公开了本申请的特定实施方式,指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解,本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的条款的范围内,本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

22、针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用,与其它实施方式中的特征相组合,或替代其它实施方式中的特征。

23、应该强调,术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向电场激励谐振器的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,

5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,

6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

7.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,

8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

10.一种横向电场激励谐振器,其特征在于,所述横向电场激励谐振器包括:

11.如权利要求10所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,

12.如权利要求10所述的横向电场激励谐振器,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种横向电场激励谐振器的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,

5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,

6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:庞慰张孟伦
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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