横向电场激励谐振器及其制造方法技术

本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器及其制造方法。该横向电场激励谐振器包括：衬底105；介质层104，其设置于所述衬底的表面，所述介质层的表面具有凹陷部；单晶压电薄膜101，其被支承于所述凹陷部的外周，并覆盖所述凹陷部的至少一部分，所述单晶压电薄膜101与所述凹陷部之间形成空腔106；以及电极层102，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面，所述电极层102包括至少两组指电极102a，在第一方向上，所述至少两组指电极102a交叉设置，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接。本申请的横向电场激励谐振器的能量损失较低，Q值被提升；此外，本申请的制造方法利用牺牲层释放技术来实现空腔，工艺简单且可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微机电(mems)，尤其涉及一种横向电场激励谐振器及其制造方法。

技术介绍

1、电场对压电材料的激励分为横向电场激励(lateralfieldexcitation，lfe)和厚度电场激励(thicknessfieldexcitation，tfe)。

2、横向电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向平行，即，电场的激励方向相对于压电材料的表面而言是横向。厚度电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向垂直，即，电场的激励方向沿着压电材料的厚度方向。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、横向电场激励谐振器是基于横向电场激励的谐振器，如何降低横向电场激励谐振器的能量损失，是一个亟待解决的课题。

2、为了解决至少上述技术问题或类似的技术问题，本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向电场激励谐振器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

10.一种横向电场激励谐振器，其特征在于，所述横向...

【技术特征摘要】

1.一种横向电场激励谐振器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：