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横向电场激励谐振器及其制造方法技术
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文档序号:41417962
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本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器及其制造方法。该横向电场激励谐振器包括:衬底(105);介质层(104),其通过金属键合层(104M,105M)被设置于衬底的表面,介质层的表面具有凹陷部;单晶压电薄膜(101),其被支承于凹陷部的外周...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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