基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明专利技术的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶放置在坩埚底部，不需粘贴或固定籽晶至坩埚盖上。本发明专利技术具有如下特点：使用碳化硅多晶晶锭作为原料，并固定在坩埚顶部。采用本方法及装置，可以有效地避免由于籽晶粘贴或固定不当，导致生长过程中籽晶脱落或者生长得到的晶体应力过大，同时，由于采用多晶晶锭作为原料，气相组分在生长腔内分布更加均匀，生长得到的晶体均匀性更好，生长重复性更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶体生长
，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅 体单晶方法及其装置。
技术介绍
碳化硅(SiC)是一种化合物半导体，具有很多优异的性能，如热导率非常高(约 5. Off/cm,高于任何已知金属)，因此它非常适合于制作需要在大功率或者高温下操作的电 子器件；高的饱和电子迁移率(约2. 7X107cm/s)以及高击穿电场(约3MV/cm)，使得其非 常适合制作高压、高频器件。与此同时，Si-C键结合能大，使得SiC的化学稳定性、抗辐照 能力都非常强。SiC已经成为公认的能够取代第一代半导体Si和第二代半导体GaAs的新 一代半导体材料。此外，六方SiC与GaN的晶格匹配程度高、热膨胀系数相近，是制造高亮 度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。早在1824年，瑞典科学家J^ns Jacob Berzelius (1779-1848)在试图合成金刚石 的时候，就预测了碳-硅键的存在。直至1891年，Edward Goodrich Acheson(1856-1931)， 在改进Berzelius制造金刚石磨料的方法时，使用碳和硅酸铝为原料，得到了大量的SiC。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法，其特征在于，在碳化硅体单晶的生长过程中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈博源，陈之战，施尔畏，严成锋，肖兵，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]