【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅复合材料领域，具体涉及一种碳化硅铜基复合材料的制备工艺。
技术介绍
碳化硅晶须(SiCw)是一种直径为纳米级至微米级具有一定长径比的短纤维状单晶体，拥有与金刚石相类似的晶体结构，具有轻质、高硬度、高弹性模量、耐腐蚀和抗高温氧化性能和特异光学和电学性能。SiCw成为金属基、陶瓷基等新型复合材料的重要增强增韧材料，在国防、航空航天、能源、化工、汽车工业、环保等领域得到了广泛应用。利用稻壳制备碳化硅晶须始于20世纪70年代，Cutler等专利技术了用稻壳合成SiCw，此后SiCw的合成与应用发展迅速。以稻壳为原料制备的碳化硅晶须，是一种高强度须状的单晶体。其晶体结构比较完整，内部缺陷少，其强度和模量均接近理想晶体。因此，晶须常作为增强组分加到金属基体、陶瓷基体和高分子基体中起增强、增韧作用。现有技术中未有采用晶须对铜进行强化的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种铜强化效果好的碳化硅铜基复合材料的制备工艺。为实现上述技术效果，本专利技术的技术方案为：一种碳化硅铜基复合材料的制备工艺，其特征在于，制备工艺包括以下步骤：S1：配置原料铜粉、碳化硅，将两中固体粉末混合，其中铜粉的质量百分比为95～97％；S2：将S1所得混合料装入聚乙烯球磨罐中，加入叔丁醇溶液，在球磨机上球磨湿混1h；S3：将S2所得球磨物料干燥处理；S4：在热压条件下，将混合均匀的原料粉末装入石墨磨具内，在850～950℃下进行烧结处理1h。其中，所述烧结压力为27～28Mpa。其中，所述聚乙烯球磨罐中的球磨介质为玛瑙求。其中，所述S3中干燥处...
【技术保护点】
一种碳化硅铜基复合材料的制备工艺，其特征在于，制备工艺包括以下步骤：S1：配置原料铜粉、碳化硅，将两中固体粉末混合，其中铜粉的质量百分比为95～97％；S2：将S1所得混合料装入聚乙烯球磨罐中，加入叔丁醇溶液，在球磨机上球磨湿混1h；S3：将S2所得球磨物料干燥处理；S4：在热压条件下，将混合均匀的原料粉末装入石墨磨具内，在850～950℃下进行烧结处理1h。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅铜基复合材料的制备工艺，其特征在于，制备工艺包括以下步骤：S1：配置原料铜粉、碳化硅，将两中固体粉末混合，其中铜粉的质量百分比为95～97％；S2：将S1所得混合料装入聚乙烯球磨罐中，加入叔丁醇溶液，在球磨机上球磨湿混1h；S3：将S2所得球磨物料干燥处理；S4：在热压条件下，将混合均匀的原料粉末装入石墨磨具内，在850...
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