本发明专利技术的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅、氧化物相，碳化硅粒子介由金属硅及氧化物相中的至少一方互相结合。此外，氧化物相的主成分为堇青石，开口孔隙率为10～40%。优选碳化硅为50～80重量%，金属硅为15～40重量%，堇青石为1～25重量%。此外，优选体积电阻率为1～80Ωcm，热导率为30～70W/m·K。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：冨田崇弘，松岛洁，井上胜弘，小林义政，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：
国别省市：
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