半导体发光器件制造技术

一种半导体发光器件，包括：具有凹部的基部；设置在该凹部中的发光元件；填充在该凹部中的树脂；以及包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且被设置成封闭该凹部的开口部分。包含荧光粉的树脂层具有比填充在凹部中的树脂低的热膨胀系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件。更具体地说，本专利技术涉及其中发光 元件设置在基部的凹部中的半导体发光器件。
技术介绍
JP-A-2003-46133公开了一种半导体发光器件。该半导体发光器件 包括固定在基部的凹部上的发光二极管芯片，并且该凹部用树脂填充。 凹部的开口部分用包含荧光粉的(phosphor contained)树脂层封闭，gai 包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质(wave converting substance)。
技术实现思路
近来，在这个
中需要高亮度的半导体发光器件，而亮度 的增加导致发光二极管芯片的发热量增加。如上所述，用树脂填充凹 部的内部空间。因此，填充在树脂填充部分中的树脂可能由于从发光 二极管芯片产生的热量而膨胀。树脂的膨胀改变发光二极管芯片的表 面和包含荧光粉的树脂层之间的距离，这引起颜色波动。还有，半导体发光器件可能用在户外场所。在这种情况下，半导 体发光器件可以用在包含诸如硫的比较大量杂质的大气环境下。在这 种使用环境下，当杂质出现在大气中时可能进入树脂填充部分的内部， 这可能使基部的反射镀层(plate)部分变差。反射镀层部分的变差降 低半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：　具有凹部的基部；　设置在所述凹部中的发光元件；　填充在所述凹部中的树脂；以及　包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且设置成封闭所述凹部的开口部分，　其中，所述 包含荧光粉的树脂层具有比填充在所述凹部中的所述树脂低的热膨胀系数。

【技术特征摘要】
JP 2007-11-12 2007-0087341. 一种半导体发光器件，包括具有凹部的基部；设置在所述凹部中的发光元件；填充在所述凹部中的树脂；以及包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且设置成封闭所述凹部的开口部分，其中，所述包含荧光粉的树脂层具有比填充在所述凹部中的所述树脂低的热膨胀系数。2. 根据权利要求1的半导体发光器件，其中所述包含荧光粉的树脂层具有比填充在所述凹部中的所述树脂高的交联密度。3. 根据权利要求1的半导体发光器件，其中所述发光元件包括氮 化物半导体发光器件。4. 根据权利要求1的半导体发光器件，还包括设置在所述凹部中 的反射部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚越功二，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]