堆叠式半导体元件制造技术

一种堆叠式半导体元件，它包括基板、下层半导体晶片、复数条第一导线、复数条第二导线、上层半导体晶片及封胶体；基板设有形成复数个第一连接点的上表面及复数个第二连接点下表面；上、下层半导体晶片上分别设有复数焊垫；其特征在于所述的基板两侧皆设有由上表面贯通至下表面的镂空槽；其下表面设有复数个讯号输出点；复数个第一连接点及复数个第二连接点分别电连接至讯号输出点；下层半导体晶片固定于基板的上表面上，并与上层半导体晶片背对背叠设，令下层半导体晶片两侧的焊垫分别由基板两侧的镂空槽露出；复数条第一导线系位于基板的镂空槽内，其设有电连接于下层半导体晶片的焊垫上的第一端点及电连接于基板的第二连接点上的第二端点；复数条第二导线电连接上层半导体晶片焊垫及基板的第一连接点。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术属于半导体元件，特别是一种堆叠式半导体元件。惟，此种结构的堆叠式半导体晶片，在制造上必需另行制作阻隔物14，再将阻隔物14先行涂上粘胶层15设于下层半导体晶片12，最后将上层半导体晶片13粘于阻隔物14上，因此，在制程上较为复杂，且整个封装体积较厚，无法达到轻薄短小的需求，另外，下层半导体晶片12及上层半导体晶片13电连接至基板10距离长，使得讯号传递效果较差。如图2所示，习知的另一种堆叠式半导体晶片包括基板30、下层半导体晶片32及上层半导体晶片34。基板30设有形成有复数个第一连接点40的上表面36及形成有复数个第二连接点42下表面38，复数个金属球44系电连接第二连接点42；下层半导体晶片32系设置于基板30的上表面36，藉由复数条导线46电连接至基板30的第一连接点40；黏胶层48系涂布于下层半导体晶片32上，用以将复数条导线46包覆住，而上层半导体晶片34系藉由黏胶层48黏着固定于下层半导体晶片32上，以形成半导体晶片的堆叠，如此，复数条导线26不致被上层半导体晶片34压损。惟，此种结构的堆叠式半导体晶片，必须涂布较厚的黏胶层48，使得整个封装体积较厚，无法达到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种堆叠式半导体元件，它包括基板、下层半导体晶片、复数条第一导线、复数条第二导线、上层半导体晶片及封胶体；基板设有形成复数个第一连接点的上表面及复数个第二连接点下表面；上、下层半导体晶片上分别设有复数焊垫；其特征在于所述的基板两侧皆设有由上表面贯通至下表面的镂空槽；其下表面设有复数个讯号输出点；复数个第一连接点及复数个第二连接点分别电连接至讯号输出点；下层半导体晶片固定于基板的上表面上，并与上层半导体晶片背对背叠设，令下层半导体晶片两侧的焊垫分别由基板两侧的镂空槽露出；复数条第一导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁荣丰，何孟南，杜修文，叶乃华，彭镇滨，庄俊华，黄富勇，郭仁龙，林钦福，范光宇，郑清水，
申请(专利权)人：胜开科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：