【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别是涉及可以在大约250℃以下的低温下实现在现有技术中在高温下进行的伴有热处理的膜形成工序的。图7示出了现有的半导体装置制造方法中所采用的制造装置的概略断面构造。如图7所示，半导体装置制造设备包括内部保持真空状态的真空室50、设于真空室50内放置并保持半导体基片的基片保持台52、排除真空室内气体的排气系统54以及向基片保持台52照射所需的离子56的离子枪58。以下，参照图7和图8对现有技术的半导体装置(例如MOS晶体管)的制造方法的大致情况进行说明。首先，向保持在基片保持台52上边的比如说由硅形成的半导体基片60的表面上喷射所需的离子56。用这种办法在半导体基片60的表面上形成所希望的杂质层62之后，在该杂质层62上边生长硅层64。接着将半导体基片60移入图中没有画出的电炉并将半导体基片60在高温下保持在指定的氧化气氛中。用这种办法，如图8所示，在硅层64的表面部分形成硅氧化膜。之后，将半导体基片移往图中没有画出的CVD装置，在硅氧化膜66上形成例如栅极电极68以完成MOS晶体管。然而，在现有技术中，在电炉中形成硅氧化膜66时，半导体基片6...
【技术保护点】
半导体装置的制造方法，包括： 膜形成工序，用于在低于２５０℃的温度下通过一边在有杂质层的半导体基片上照射电离射线或光线一边导入功能性气体，在上述半导体基片上形成膜。
【技术特征摘要】
JP 1994-5-16 100860/941.半导体装置的制造方法，包括膜形成工序，用于在低于250℃的温度下通过一边在有杂质层的半导体基片上照射电离射线或光线一边导入功能性气体，在上述半导体基片上形成膜。2.如权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，上述膜形成工序包括通过一边向半导体基片导入功能性气体一边在半导体基片的表面上进行电子束曝光而在半导体基片上形成图形化膜的工序。3.半导体装置的制造方法，包括层形成工序，用于通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片上照射电离射线或者光线一边导入功能性气体，在半导体基片上形成由与半导体基片的主要成分不同的原子或分子组成的层。4.如权利要求3的半导体装置的制造方法，其中，上述层形成工序包括通过一边向半导体基片上导入功能性气体一边对半导体基片的表面进行电子射线曝光而在半导体基片上形成图形化层的工序。5.半导体装置的制造方法，包括下列步骤通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片照射电离射线或光线、一边导入功能性气体而在半导体基片上形成将成为沟道区的杂质层的工序；通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片照射电离射线或光线、一边导入功能性气体而在上述杂质层上边形成将成为栅极绝缘膜的绝缘层的工序；通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片照射电离射线或光线、一边导入功能性气体而在上...
【专利技术属性】
技术研发人员：水野文二，冈田健治，中山一郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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