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通过在低于２５０℃的温度下一边向半导体基片１照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成Ｐ型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于２５０℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的栅电极Ｂ和栅极...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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