薄膜半导体器件制造技术

一种在玻璃基片上形成的能提高薄膜晶体管工作特性和可靠性的薄膜半导体器件。该薄膜半导体器件具有在含有碱性金属的玻璃基片１上形成的薄膜晶体管３。玻璃基片１被缓冲层２覆盖。在这个缓冲层２上形成的薄膜晶体管３具有作为有源层的多晶半导体薄膜４。该缓冲层２包括至少一个氮化硅层，并且能防止薄膜晶体管３被诸如Ｎａ的碱性金属沾污，而且具有这样的厚度，它能使薄膜晶体管３免受局部集中的碱性金属离子（Ｎａ）产生的电场的影响。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用作有源阵列液晶显示屏的驱动基片或类似结构的薄膜半导体器件，尤其涉及一种采用普通玻璃作为基片，通过低温工艺制作的薄膜半导体器件。尤其还涉及这样的技术，它用于防止玻璃中含有的碱性金属的有害作用。薄膜半导体器件是这样的器件，其中薄膜晶体管在绝缘基片上形成，并且由于它们对诸如有源阵列液晶显示展的驱动基片的应用很理想，所以在最近几年它们有了极大的发展。尤其当在大面积液晶显示屏中使用薄膜半导体器件。对降低绝缘基片的成本是必需的，玻璃基片被用来替代过去使用的相对高质量的石英基片。当使用玻璃基片时，因为它的热阻相当低，所以薄膜晶体管必须在低于600℃的低温工艺中形成。现在用于构成薄膜晶体管的有源层的半导体薄膜，使用的是非晶硅和多晶硅。然而，从薄膜晶体管的工作特性的观点看，多晶硅优于非晶硅。由于这个原因，在最近几年通过低温工艺制作多晶硅薄膜晶体管的发展有了很大的进步。当多晶硅用作在玻璃基片上形成的薄膜晶体管的有源层时，玻璃基片中含有的碱性金属如钠(Na)引起的沾污就成为一个问题。多晶硅比非晶硅对碱金属沾污更敏感，并且具有这样沾污的多晶硅对薄膜晶体管的工作特性和可靠性具有有害影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜半导体器件，包括： 含有碱性金属的玻璃基片； 覆盖所述玻璃基片表面的缓冲层；以及 在所述缓冲层上形成的薄膜晶体管，并且具有作为有源层的多晶半导体薄膜， 其中所述缓冲区包括至少一个氮化硅层，并防止所述薄膜晶体管被碱性金属沾污，而且具有这样的厚度使得它能够保护所述薄膜晶体管免受局部集中的碱性金属离子产生的电场的影响。

【技术特征摘要】
JP 1995-10-13 291788/951.一种薄膜半导体器件，包括含有碱性金属的玻璃基片；覆盖所述玻璃基片表面的缓冲层；以及在所述缓冲层上形成的薄膜晶体管，并且具有作为有源层的多晶半导体薄膜，其中所述缓冲区包括至少一个氮化硅层，并防止所述薄膜晶体管被碱性金属沾污，而且具有这样的厚度使得它能够保护所述薄膜晶体管免受局部集中的碱性金属离子产生的电场的影响。2.根据权利要求1的薄膜半导体器件，其中所述的氮化硅层具有至少20nm的厚度。3.根据权利要求1的薄膜半导体器件，其中所述的缓冲层具有至少100nm的厚度。4.根据权利要求1的薄膜半导体器件，其中所述的薄膜晶体管具有背栅结构，包括从底部依次叠加的栅电极，栅绝缘层和多晶半导体薄膜。5.根据权利要求4的薄膜半...

【专利技术属性】
技术研发人员：林久雄，下垣内康，加藤庆二，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]