【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率金属氧化物硅场效应晶体管(此后称之为“MOSFET”)结构及其制造方法，特别涉及一种高压MOSFET结构及其制造方法，能够获得高击穿电压，具有小得足以适于相当大功率IC的面积，并提供金属场板。(metal fieldplate)以减小电阻率。由于功率MOSFET与其它功率元件相比有极好的开关速度，和具有对于低于300(V)的较低耐压元件其电阻低这样一个特性，所以将高电压横向功率MOSFET作为超大规模集成电路的功率元件已越来越倍受关注。一般所用的功率元件有双扩散MOSFET(DMOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、双极晶体管等等，但用于低压的互补金属氧化物半导体(CMOS)VLSI和用于高压(10V至500V)的元件，已研制出横向双扩散MOSFET(此后称之为LDMOSFET)作为最有效的元件。附图说明图1(A)示出了一种广泛用于相当大功率IC的一般LDMOSFET的剖面结构。下面简要说明所述LDMOSFET的制造方法首先，用外延生长法或扩散形成阱的工艺，在硅衬底13上制作防止任何高压的漂移区11，用局部硅氧化工艺在沟道(8)和...
【技术保护点】
一种高压金属氧化物硅场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）结构，包括：半导体衬底；形成于所述衬底中的第一和第二导电阱；形成于所述第一和第二导电阱之间的衬底上的隔离膜；分别在其中形成了所述第一和第二导电阱的衬底表面上形成的栅；分别形成于所述第一和第二导电阱中，以便与所述栅一个边缘的下部相连的漂移区；形成于所述漂移区中的漏；分别形成于所述第一和第二导电阱中，以便与所述栅的另一边缘的下部相连的且有掩埋扩散区源；分别形成于所述第一和第二导电阱中和形成于有掩埋扩散区的所述源的一侧的体接触；形成于包括所述栅和隔离膜的衬底上的第一绝缘膜，其上形成有暴露源和漏的表面的接触孔；分别形成于包括所述接触孔...
【技术特征摘要】
KR 1995-12-2 46199/951.一种高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)结构，包括半导体衬底；形成于所述衬底中的第一和第二导电阱；形成于所述第一和第二导电阱之间的衬底上的隔离膜；分别在其中形成了所述第一和第二导电阱的衬底表面上形成的栅；分别形成于所述第一和第二导电阱中，以便与所述栅一个边缘的下部相连的漂移区；形成于所述漂移区中的漏；分别形成于所述第一和第二导电阱中，以便与所述栅的另一边缘的下部相连的且有掩埋扩散区源；分别形成于所述第一和第二导电阱中和形成于有掩埋扩散区的所述源的一侧的体接触；形成于包括所述栅和隔离膜的衬底上的第一绝缘膜，其上形成有暴露源和漏的表面的接触孔；分别形成于包括所述接触孔的第一绝缘膜的指定部位的源/漏极；分别置于形成于所述漂移区和栅上的第一绝缘膜上的场板，它形成于所述源/漏极之间，以便与它们隔开；及形成于包括所述源/漏极和场板的第一绝缘膜上的第二绝缘膜。2.如权利要求1所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述场板包括与所述源/漏极同质的金属。3.如权利要求1所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第一导电阱包括n阱。4.如权利要求1所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第二阱包括p阱。5.如权利要求1所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述栅长1.2-1.5μm。6.一种高压MOSFET结构，包括半导体衬底；形成于所述衬底中的第一和第二导电阱；分别在其上分别形成了所述第一和第二导电阱的衬底表面上形成的栅；按彼此隔开一定距离的形式，分别形成于所述第一导电阱中，以便与所述栅的两边缘的下部相连的第一和第二漂移区；按彼此隔开一定距离的形式，分别形成于所述第二导电阱中，以便与所述栅的两边缘的下部相连的第一和第二漂移区；分别形成于在第一和第二导电阱中形成的第一和第二漂移区中的源/漏；分别形成于所述第一和第二导电阱中，及形成在隔离膜形成于其间的第一和第二漂移区的每边的体接触；形成于包括所述栅和隔离膜的衬底上的第一绝缘膜，其上形成有暴露源/漏和体接触的表面的接触孔；分别形成于包括所述接触孔的第一绝缘膜的指定部位的源/漏极；分别置于形成于所述漂移区和栅上的第一绝缘膜上的第一和第二场板，它们形成于所述源/漏极之间，以便与源/漏极隔开；及形成于包括所述源/漏极及第一和第二场板的第一绝缘膜上的第二绝缘膜。7.如权利要求6所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第一和第二场板包括与所述源/漏极同质的金属。8.如权利要求6所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第一导电阱包括n阱。9.如权利要求6所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第二阱包括p阱。10.如权利要求6所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述栅长1.2-1.5μm。11.一种高压MOSFET的结构包括半导体衬底；形成于所述衬底中的第一导电阱；形成于所述第一导电阱形成于其上的衬底表面上的栅；形成于所述第一导电阱中，以便与所述栅一个边缘的下部相连的漂移区；形成于所述漂移区中的漏；形成于所述导电阱中，以便与所述栅的另一边缘的下部相连、有掩埋扩散区的源；形成于所述第一导电阱中，及形成在有掩埋扩散区的所述源的一侧的体接触；形成于包括所述栅的衬底上的第一绝缘膜，其上形成有暴露源和漏的表面的接触孔；形成于包括所述接触孔的第一绝缘膜的指定部位的源/漏极；分别置于形成于所述漂移区和所述栅上的第一绝缘膜上的场板，它们形成于源/漏极之间，以便与它们隔开；及形成于包括所述源/漏极及场板的第一绝缘膜上的第二绝缘膜。12.如权利要求11所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述场板包括与所述源/漏极同质的金属。13.如权利要求11所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第一导电阱包括n阱或p阱。14.如权利要求11所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述栅长1.2-1.5μm。15.一种高压MOSFET的结构包括半导体衬底；形成于所述衬底中的第一导电阱；形成于所述第一导电阱形成于其上的衬底表面上的栅；以彼此隔开一定距离的形式，形成于所述第一导电阱中，以便与所述栅一个边缘的下部相连的第一和第二漂移区；形成于所述阱中的第一和第二漂移区中的源/漏；分别形成于所述第一导电阱中及隔离膜形成于其间的第一和第二漂移区的每边的体接触；形成于包括所述栅和隔离膜的衬底上的第一绝缘膜，其上形成有暴露源和漏及体接触的表面的接触孔；形成于包括所述接触孔的第一绝缘膜的指定部位的源/漏极；分别置于形成于所述漂移区和所述栅上的第一绝缘膜上的第一和第二场板，它们形成于所述源/漏极之间，以便与它们隔开；及形成于包括所述源/漏极及所述第一和第二场板的第一绝缘膜上的第二绝缘膜。16.如权利要求15所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第一和第二场板包括与所述源/漏极同质的金属。17.如权利要求15所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述第一导电阱包括n阱或p阱。18.如权利要求15所述的高压MOSFET结构，其特征在于所述栅长1.2-1.5μm。19.一种制造高压MOSFET的方法，包括下列步骤在半导体衬底中形成第一和第二导电阱；在所述导电阱中分别形成漂移区；在所述第一和第二导电阱之间的衬底表面上生长隔离膜；形成栅绝缘膜；在所述第一和第二导电阱上的栅绝缘膜上形成栅；在与所述栅邻近的那部分的漂移区中形成低浓度n和p型掺杂区；在所述第一和第二导电阱中形成掩埋扩散区；形成具有形成于所述第一和第二导电阱中的掩埋扩散中一侧上的体接触的源/漏；在包括所述栅和隔离膜的衬底整个表面上形成有接触孔的绝缘膜，以便暴露源/漏表面；在所述绝缘膜上形成金属膜；及利用掩模腐蚀所述金属膜，形成源/漏极和金属场板。20.如权利要求19所述的制造高压MOSFET的方法，其特征在于在离子注入后，借助扩散p型杂质的工艺形成所述第一导电阱。21.如权利要求19所述的制造高压MOSFET的方法，其特征在于在离子注入后，借助扩散n型杂质的工艺形成所述第二导电阱。22.如权利要求19所述的制造高压MOSFET的方法，其特征在于在邻近所述栅的那部分漂移区中形成低浓度n和p型杂质区的步骤还包括下列步骤在包括所述栅的绝缘膜的整个表面上形成第一掩模层；腐蚀所述第一掩模层，暴露与栅邻近一侧的在形成于所述第二导电阱中的漂移区上、与栅邻近一侧的指定部分的绝缘膜；与所述栅自对准，把低浓度n型杂质离子注入到该暴露部分中，然后，除去所述第一掩模层；在包括所述栅的栅绝缘膜的整个表面上形成第二掩模层；腐蚀所述第二掩模层，暴露在形成于所述第一导电阱中的漂移区上、与栅邻近一侧的指定部分的绝缘膜；所述栅自对准，把低浓度p型杂质离子注入到该暴露部分中，然后，除去所述第二掩模层；及进行扩散。23.如权利要求19所述的制造高压MOSFET的方法，其特征在于形成具有形成于所述第一和第二导电阱中的隐埋扩散区一侧上的体接触的源/漏的步骤还包括下列步骤在包括所述栅的绝缘膜整个表面上形成第一掩模层；腐蚀所述第一掩模层，暴露形成于所述第一导电阱中的隐埋扩散区上的绝缘膜表面和形成于所述第二导电阱中的隐埋扩散区上的绝缘膜表面的指定部分；把高浓度n型杂质离子注入到该暴露部分，然后，除去所述第一掩模层；在包括所述栅的绝缘膜整个表面上形成第二掩模层；腐蚀所述第二掩模层，暴露形成于所述第一导电阱中的隐埋扩散区上的绝缘膜表面和形成于所述第二导电阱中的隐埋扩散区上的绝缘膜表面的指定部分；把高浓度p型杂质离子注入到该暴露部分，然后，除去所述第二掩模层；及激活所述离子注入区。24.如权利要求19所述的制造高压MOS...
【专利技术属性】
技术研发人员：权五敬，郑训镐，
申请(专利权)人：LG半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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