温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造高压ＭＯＳＦＥＴ的方法，包括：在半导体衬底中形成第一和第二导电阱；在所述第一和第二导电阱中分别形成漂移区；在所述第一和第二导电阱之间的衬底表面上生长隔离膜；形成栅绝缘膜；在第一和第二导电阱上的栅绝缘膜上形成栅；在与所述栅邻近的那部分...
该专利属于LG半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。