【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及根据权利要求1的前序部分生产半导体产品的设备。如此的设备可以特别作为加工晶片的设备形成。该设备包含多个生产单元,通过这些生产单元实施加工晶片的不同生产过程。在这些生产过程中特别涉及腐蚀过程、加湿的化学方法、扩散过程以及各种不同的净化方法,比如CMP方法(化学机械抛光)。对于每一个这样的生产过程预先规定一个或多个生产单元。晶片的全部加工过程受到严厉的纯净要求,因此生产单元布置在一个净化室内或在一组净化室内。净化室或净化室组通常布置在建筑物的一个楼层上。预先规定一个供给系统用于各个生产单元的工料的供给和排出。特别是液态和气态工料属于如此的工料。对于多个生产过程,比如净化方法、腐蚀过程和扩散过程,需要特别的纯净水和高度纯净水作为液态工料。此外需要冷却水作为液态工料用于在各个生产单元中冷却机器和设备。最后需要不同的化学试剂以液态形式或气态用于实施不同的生产过程。该供给系统具有多个储备容器,在这些储备容器中存放供应生产单元的工料。此外预先规定多个储备容器,从生产单元中排出的工料供给该储备容器。供给系统的储备容器分布在建筑物的一个楼层或多个楼层上。这些楼层 ...
【技术保护点】
生产半导体产品、特别是加工晶片的设备,具有在至少一个净化室内的生产单元的布置以及具有一个供应和排出生产单元的工料的供给系统,其特征在于,供给系统具有第一供给管线(7a)和第一排出管线(8a),在该供给管线和排出管线中比周围大气重的工料从上通向下,并且具有第二供给管线(7b)和第二排出管线(8b),在该供给管线和排出管线中比周围大气轻的工料从下通向上。
【技术特征摘要】
DE 1999-3-26 19913918.01.生产半导体产品、特别是加工晶片的设备,具有在至少一个净化室内的生产单元的布置以及具有一个供应和排出生产单元的工料的供给系统,其特征在于,供给系统具有第一供给管线(7a)和第一排出管线(8a),在该供给管线和排出管线中比周围大气重的工料从上通向下,并且具有第二供给管线(7b)和第二排出管线(8b),在该供给管线和排出管线中比周围大气轻的工料从下通向上。2.按照权利要求1的设备,其特征在于,净化室(2)处于一个建筑物(5)的一个楼层(6)中,并且至少吸收工料的储备容器处在该建筑物(5)的位于该楼层上面和下面的楼层(9、10)中。3.按照权利要求1或2的设备,其特征在于,比周围大气重、经过第一供给管线(7a)可以供给生产单元(1)的液体工料或气体工料的储备容器布置在净化室(2)上面的楼层(9)中。4.按照权利要求3的设备,其特征在于,吸收比周围大气重的液体或气体工料的储备容器,工料经过第一排出管线(8a)可以供给这个储备容器,布置在净化室(2)下面的楼层(10)中。5.按照权利要求1-4之一的设备,其特征在于,比周围大气轻、经过第二供给管线(7b)可以供给生产单元(1)的气体工料的储备容器布置在净化室(2)下面的楼层(10)中。6.按照权利要求5的设备,其特征在于,吸收比周围大气轻的气体工料的储备容器,工料...
【专利技术属性】
技术研发人员:B海尼曼,
申请(专利权)人:因芬尼昂技术股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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