SOI晶片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳＯＩ（绝缘膜上硅）晶片的制造方法，工艺（１００）：备好具有设计厚度的硅晶片（ＳＷ）；工艺（１１０）：在硅晶片（ＳＷ）表面上利用ＡＬＥ工艺或ＡＬＣＶＤ，ＡＬＤ，ＡＳＣＶＤ，ＡＬＶＣＤ等的工艺形成绝缘层；工艺（１２０）：把形成有氧化铝（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）（ＡＬ）绝缘膜层的硅晶片（ＳＷ）和另一个硅晶片（ＳＷ２），用多种方法去进行粘接；工艺（１３０）：将对粘接好的硅晶片（ＳＷ，ＳＷ２），以多种方法去进行切削加工；工艺（１４０）：将对已被切削加工的硅晶片粘接体（ＳＷ，ＳＷ２）的表面进行抛光。上述的绝缘膜层材料，除氧化铝（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）（ＡＬ）之外，还用二氧化钛（ＴｉＯ↓［２］）和氧化钽（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［３］）；粘接工艺（１２０）也许是一种单向粘接方法；硅晶片（ＳＷ，ＳＷ２）也可能用Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ方法来进行切削加工。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关SOI晶片制造方法的一项技术，更详细地说它将提供一种改进的用来提高化学、机械、电气等性能及加工性能的晶片制造方法。
技术介绍
现在，SOI晶片是在一般的晶片制造工艺中普遍采用的一种技术。SOI晶片是指一种为了在半导体衬底上，形成一种二氧化硅绝缘膜层，然后在其上面形成半导体衬底(如同单晶硅层)，再在这半导体衬底上制作半导体器件的制作方法。这种SOI晶片，如所周知，它的器件隔离技术容易，而且器件的电气特性能也好。上述的SOI晶片，普遍采用如下的一些方法来加工。如将两个晶片粘接之后，把其中的一片加工成薄的一种BE(涂胶及腐蚀)方法；和在半导体衬底上注入氧之后，通过热处理形成隐埋的氧化层膜和硅膜的SIMOX(掺氧分隔)法等。传统的SOI晶片结构是利用下述方法在硅单晶衬底上形成绝缘膜的。即先将硅晶片加热到1000℃以上的温度，在表面形成二氧化硅(SiO2)绝缘膜；再将其粘接到硅衬底上，然后利用下述的Smart Cut方法来形成绝缘膜。接着，投放到蚀刻、曝光、布线等的后道工序。Smart Cut工艺是指在形成有绝缘层的硅衬底上，注入氢离子，并精确地去控制氢离子的深度；然后注入氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ晶片的制造方法，其工艺特征是：工艺（１００）：在该工艺中备好具有设计厚度的硅晶片（ＳＷ）；工艺（１１０）：在备好的硅晶片（ＳＷ）上利用ＡＬＥ工艺或ＡＬＣＶＤ，ＡＬＤ，ＡＳＣＶＤ，ＡＬＶＣＤ等工艺去形成氧化铝绝缘膜层（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）（ＡＬ）；工艺（１２０）：将把形成有氧化铝绝缘层（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）（ＡＬ）的硅晶片ＳＷ和另一硅晶片ＳＷ２进行单面粘接或用其他方法进行粘接；工艺（１３０）：将把粘接好的硅晶片（ＳＷ，ＳＷ２）用多种方法进行切削加工；工艺（１４０）：将对切削加工完的硅晶片粘接体（ＳＷ，ＳＷ２）的表面进行抛光。

【技术特征摘要】
KR 2001-1-18 2001-28401.一种SOI晶片的制造方法，其工艺特征是工艺(100)在该工艺中备好具有设计厚度的硅晶片(SW)；工艺(110)在备好的硅晶片(SW)上利用ALE工艺或ALCVD，ALD，ASCVD，ALVCD等工艺去形成氧化铝绝缘膜层(Al203)(AL)；工艺(120)将把形成有氧化铝绝缘层(Al2O3)(AL)的硅晶片SW和另一硅晶片SW2进行单面粘接或用其他方法进行粘接；工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：权龙范，李钟玄，
申请(专利权)人：株式会社COMTECS，权龙范，李钟玄，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]