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本发明公开了一种ＳＯＩ（绝缘膜上硅）晶片的制造方法，工艺（１００）：备好具有设计厚度的硅晶片（ＳＷ）；工艺（１１０）：在硅晶片（ＳＷ）表面上利用ＡＬＥ工艺或ＡＬＣＶＤ，ＡＬＤ，ＡＳＣＶＤ，ＡＬＶＣＤ等的工艺形成绝缘层；工艺（１２０）：把形成...该专利属于株式会社COMTECS;权龙范;李钟玄所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社COMTECS;权龙范;李钟玄授权不得商用。
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本发明公开了一种ＳＯＩ（绝缘膜上硅）晶片的制造方法，工艺（１００）：备好具有设计厚度的硅晶片（ＳＷ）；工艺（１１０）：在硅晶片（ＳＷ）表面上利用ＡＬＥ工艺或ＡＬＣＶＤ，ＡＬＤ，ＡＳＣＶＤ，ＡＬＶＣＤ等的工艺形成绝缘层；工艺（１２０）：把形成...