薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法，通过加热蒸发材料（５）、使该蒸发材料（５）熔融后蒸发，产生用于在固体表面上生长薄膜的蒸发分子。该分子束源装置具有装有蒸发材料（５）的坩埚（１）和加热装在该坩埚（１）中的上述蒸发材料（５）的加热单元，把由热和化学稳定且比上述蒸发材料（５）的导热率高的热解氮化硼（ＰＢＮ）组成的导热介质与上述蒸发材料（５）一起装在上述坩埚（１）中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过加热蒸发材料熔融该蒸发材料来产生用于在固体表面上生成薄膜的蒸发分子的，特别涉及最适合热导热率低的有机电致发光材料等蒸发的分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法。
技术介绍
被称为分子束外延装置的薄膜沉积装置，在高真空中可减压的真空舱内放置半导体晶片等基片，在加到所需要的温度的同时，将Kunudsen等分子射线源装置朝向该基片的薄膜生成片放置，通过加热该分子射线源装置的坩埚内的蒸发材料使其熔融、蒸发，使由此产生的蒸发分子入射到上述基片的薄膜生成面上，使薄膜外延生长在该表面上，形成蒸发材料的膜。在这样的薄膜沉积装置中使用的分子束源装置是在由热、化学稳定性高的例如PBN(热解的氮化硼)等组成的坩埚中装入蒸发材料，用设置在坩埚外侧的电加热器加热该蒸发材料，借此熔融该蒸发材料，使其产生蒸发分子。近年来在显示和光通讯等领域，有机电致发光元件(有机EL元件)的研究开发正在进行，该有机EL元件是用具有EL发光能的有机低分子或有机高分子材料形成的发光层的元件，作为自身发光型的元件其特性倍受关注。例如其基本的构造以下述方式形成在霍尔注入电极上形成三苯基双胺(TPD)等霍尔传送材料膜，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜沉积用分子束源装置，该装置用在真空薄膜沉积中蒸镀装置中，蒸发材料在该蒸发室内被加热到熔融、蒸发，以便产生用于在一固体表面上生长该材料的薄膜的蒸气分子，其特征在于，包括：一个用于在里面装蒸发材料的坩埚；和一个用于加热装在该坩埚 里面的蒸发材料的加热单元，导热介质与所述蒸发材料一起装入在所述坩埚内，所述导热介质具有高的热稳定的和化学稳定性，其导热率比所述蒸发材料的导热率高。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-26 192261/011.一种薄膜沉积用分子束源装置，该装置用在真空薄膜沉积中蒸镀装置中，蒸发材料在该蒸发室内被加热到熔融、蒸发，以便产生用于在一固体表面上生长该材料的薄膜的蒸气分子，其特征在于，包括一个用于在里面装蒸发材料的坩埚；和一个用于加热装在该坩埚里面的蒸发材料的加热单元，导热介质与所述蒸发材料一起装入在所述坩埚内，所述导热介质具有高的热稳定的和化学稳定性，其导热率比所述蒸发材料的导热率高。2.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述导热介质是由高热导材料组成，至少包括热解的氮化硼、碳化硅和氮化铝中的一种。3.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述导热介质成颗粒状。4.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述导热介质由与所述坩埚材料相同的材料构成。5.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述导热介质以颗粒状包围在蒸发材料周围。6.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述装在坩埚中的导热介质是与所述蒸发材料以容积比大致为70％∶30％的混合物。7.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述加热组件配置在所述坩埚的周围，以便使加热组件包围所述的坩埚。8.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于所述坩埚有一个形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：水上时雄，斋藤建勇，城户淳二，
申请(专利权)人：长州产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]