半导体检测装置和检测方法制造方法及图纸

对要与电气电路内的电气元件电气连接后组装入电气电路内的半导体集成电路在装入该电气电路内之前进行检测的检测装置，包含：用于与半导体集成电路露出的电气端子分别接触的多个探针；装有探针且相对要检测的半导体集成电路可以相对移动的可动探头；产生经由可动探头向半导体集成电路传递的检测输入信号并经由探针接收从半导体集成电路传递的检测输出信号来检测半导体集成电路的测定装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体检测装置，特别涉及使探针接触半导体集成电路的电极，检测该半导体集成电路的电气特性的半导体检测装置。
技术介绍
以往以来，检测被形成在晶片上的半导体集成电路的电气特性已很普遍。在检测时，使探针接触半导体集成电路的电极，从测定检测装置施加检测用信号，检测对应该信号的输出信号。在以往的半导体检测装置中，是每次检测1个半导体集成电路芯片。在此，用图21简单说明以往探头的构成。如图所示，探头1，在其中央部分上具备多个探针13。探针13，通常用细长的金属针构成。并且，探针13，设置有与半导体集成电路芯片的外部端子数相当的个数，被配置在与该半导体集成电路芯片的外部端子对应的位置上。该探针13，通过信号线直接与测定检测装置连接。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供检测的可靠性优异，或者以低成本进行半导体集成电路芯片检测的半导体检测装置。如果采用本专利技术，则用于把与电气电路内的电气元件电气连接并要装入电气电路内的半导体集成电路，在装入该电气电路内之前检测的检测装置，包含用于分别与半导体集成电路露出的电气性端子连接的多个探针；安装有探针相对要进行检测的半导体集成电路可以相对移动的可动探头；产生经由探针向半导体集成电路传递的检测输入信号，进而接收经由探针从半导体集成电路传递来的检测输出信号，用于检测半导体集成电路的测定装置。如果具有相当于该电气电路内的电气元件，包含用于与和探针的至少1个电气连接并经由探针和要检测的半导体集成电路一同形成检测用电气电路的检测用电气元件的组件，则可以在与实际的使用条件接近的条件下检测半导体集成电路，提高检测的可靠性。如果把探针和组件安装在可动探头上，使得探针和组件一起移动，则可以靠近配置半导体集成电路和检测用电气元件，可以在与实际的使用条件接近的条件检测半导体集成电路，检测的可靠性提高。如果在探头中各探针的至少一部分和组件之间的位置关系被固定，则可以抑制检测条件变化。检测输入信号也可以经由检测用电气元件传递到半导体集成电路，检测输出信号也可以从半导体集成电路传递到检测用电气元件。组件如果进一步具有与检测用电气元件电气连接的模拟信号-数字信号转换器，则转换处理被输入的模拟信号，把数字信号经由探针传递到半导体集成电路，或者把经转换处理的数字信号输出到测定检测装置，因为不把容易受到噪声影响的模拟信号传送到容易引入噪声的探针和测定检测装置之间，所以可以防止在探针和测定检测装置之间的传送电路上由噪声引起的检测精度的恶化。测定装置和组件，可以用同轴电缆连接。探针，被配置组件表面，如果经由组件被装在可动探头上，则可以抑制由探针引起的信号传递精度劣化，在与实际的使用条件接近的条件下检测半导体集成电路，检测的可靠性提高。组件，也可以包含至少具备透磁性和导电性的一种，并包含包围检查用电气元件的密封部件。探针可以至少具有25μm以下的厚度和0.25mm以下的长度的一种。组件，也可以具有用于与半导体集成电路的电气端子接触的镍层，和用于使捏层和测定装置经由它电气连接的铜层。为了在把第一半导体集成电路和第二半导体集成电路分别组装在该电气电路内之前检测它们，多个探针，可以分别同时接触第一半导体集成电路和第二半导体集成电路两方露出的电气端子。可以抑制如果输入到第一半导体集成电路的检测输入信号的频率，和输入到第二半导体集成电路的检测输入信号的频率不同，则第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声的现象，提高检测的可靠性。可以抑制如果来自第一半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率，和来自第二半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率不同，则第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声的现象，检测的可靠性提高。如果可以防止同时发生测定装置产生对第一半导体集成电路测定装置的检测输入信号，和测定装置产生对第二半导体集成电路测定装置的检测输入信号，则可以抑制第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声，检测的可靠性提高。如果可以防止同时发生测定装置产生对第一半导体集成电路的检测输入信号，和测定装置接受来自第二半导体集成电路的检测输出信号，则可以抑制第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声，检测的可靠性提高。附图说明图1是本专利技术的实施方案的半导体检测装置的方框图。图2是用于说明晶片以及半导体集成电路芯片的图。图3是本专利技术的实施方案的探头、组件以及探针的断面图。图4是本专利技术的实施方案的探头、组件以及探针的平面图。图5是本专利技术的实施方案的探头、组件以及探针的平面图。图6是本专利技术的实施方案的半导体检测装置的方框图。图7是本专利技术的实施方案的半导体检测装置的方框图。图8是本专利技术的实施方案的探头的断面图。图9是本专利技术的实施方案的探头的平面图。图10是本专利技术的实施方案的探头的平面图。图11是本专利技术的实施方案的探头的平面图。图12是本专利技术的实施方案的探头的平面图。图13是本专利技术的实施方案的探头的平面图。图14是展示本专利技术实施方案的组件的制造工序图。图15是展示本专利技术实施方案的组件的制造工序图。图16是展示本专利技术实施方案的探针构成图。图17是用于说明本专利技术的实施方案的检测控制图。图18是用于说明本专利技术的实施方案的检测控制图。图19是展示在本专利技术的实施方案中使用的信号频带图。图20是展示本专利技术实施方案的组件的构成图。图21是展示以往的探针构成图。具体实施例方式图1是本专利技术的实施方案的半导体检测装置的功能方框图。该半导体检测装置，由探头1、组件12、探针13、测定检测装置2、晶片保持体4、驱动机构5、驱动机构6以及控制装置7构成。晶片3具有多个在该半导体检测装置中成为检测对象的半导体集成电路芯片。探头1，相对晶片3上的半导体集成电路芯片，用探针13进行电气性接触。在本专利技术的实施方案中，特别在该探头1上设置了组件12以及探针13。组件12的详细构成在以后叙述，特别是具备包含用于对半导体集成电路芯片提供规定信号和/或用于处理从该半导体集成电路芯片输出的信号的信号处理电路的电子器件。测定检测装置2，生成检测用的信号，对组件12输出。在本实施方案中，把从测定检测装置2输出的，最终被输入半导体集成电路芯片内的信号统称为检测用输入信号。该检测用输入信号，有时用作控制信号，有时也用作数据信号。此外，测定检测装置2，把根据检测用输入信号从半导体集成电路芯片输出的信号，在由组件12进行规定处理后输入，进行检测。在本实施方案中，把从半导体集成电路芯片输出的，最终被输入测定检测装置的信号统称为检测用输出信号。该检测用输出信号有时用作控制信号，有时也用作数据信号。检测结果，例如被显示在显示器上，或者用打印机打印出。测定检测装置2，经由控制装置7来控制驱动机构5以及驱动机构6。由此，进行探头1和晶片保持体4的位置确定。在此，驱动机构5，可以使探头1在晶片3的主平面的垂直方向(Z方向)上移动。此外，驱动机构6，可以使晶片保持体4在和晶片3的主平面平行的水平方向(XY方向)上移动。而且驱动机构5、6并不限定于这种动作。驱动机构5也可以使晶片3在XY方向上移动，驱动机构6也可以使晶片3在Z方向上移动。此外，也可以只设置驱动机构5、6的某一方，它使晶片3在XYZ方向上移动。晶片保持体4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测装置，用于对要与电气电路内的电气元件电气连接后组装入电气电路内的半导体集成电路在组装入该电气电路内之前进行检测，该检测装置包含：与半导体集成电路露出的电气端子分别接触的多个探针；装有探针且相对要检测的半导体集成电路可以相对移 动的可动探头；产生经由探针向半导体集成电路传送的检测输入信号并接收经由探针从半导体集成电路传递的检测输出信号来检测半导体集成电路的测定装置。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-22 190119/20011.一种检测装置，用于对要与电气电路内的电气元件电气连接后组装入电气电路内的半导体集成电路在组装入该电气电路内之前进行检测，该检测装置包含与半导体集成电路露出的电气端子分别接触的多个探针；装有探针且相对要检测的半导体集成电路可以相对移动的可动探头；产生经由探针向半导体集成电路传送的检测输入信号并接收经由探针从半导体集成电路传递的检测输出信号来检测半导体集成电路的测定装置。2.根据权利要求1的检测装置，进一步具备包含相当于该电气电路内的电气元件的检测用电气元件的组件，所述检测用电气元件和探针的至少1个电气连接并经由探针与要检测的半导体集成电路一起形成检测用电气电路。3.根据权利要求2的检测装置，探针和组件被安装在可动探头上，使得探针和组件一起移动。4.根据权利要求3的检测装置，探头中各探针的至少一部分和组件之间的位置关系被固定。5.根据权利要求2的检测装置，检测输入信号经由检测用电气元件传递到半导体集成电路。6.根据权利要求2的检测装置，检测输出信号从半导体集成电路传递到检测用电气元件。7.根据权利要求2的检测装置，组件进一步具有与检测用电气元件电气连接的模拟信号-数字信号转换器。8.根据权利要求2的检测装置，测定装置和组件用同轴电缆连接。9.根据权利要求2的检测装置，探针配置在组件表面上并通过组件安装在可动探头上。10.根据权利要求2的检测装置，组件包含具备透磁性和导电性中至少一种并包围检测用电气元件的密封构件。11.根据权利要求1的检测装置，探针具有25μm以下的厚度和0.25mm以下的长度的至少一方。12.根据权利要求1的检测装置，探针具有用于与半导体集成电路的电气端子接触的镍层和将镍层与测定装置连接的铜层。13.一种检测装置，是把第一半导体集成电路和第二半导体集成电路分别组装入相应电气电路内之前对其进行检测的权利要求1的检测装置，其中多个探针可以与第一半导体集成电路和第二半导体集成电路的两方露出的电气端子分别同时接触。14.根据权利要求13的检测装置，第一半导体集成电路的检测输入信号的频率和第二半导体集成电路的检测输入信号的频率不同。15.根据权利要求13的检测装置，来自第一半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率和来自第二半导体集成电路测定装...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸本清治，
申请(专利权)人：日立马库塞鲁株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]