【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及到半导体集成电路。更具体地，本专利技术涉及用于半导体集成电路或者类似电路的保护电路中的电路单元。
技术介绍
集成电路和其它半导体器件容易被各种静电放电(ESD)事件或者类似事件损伤或者完全毁坏。因此在芯片上包含保护电路有利于防止或者减小这些事件的损伤。更具体地，该保护电路的形成适合于吸收静电放电并且防止ESD事件损伤集成电路或者其它半导体器件的功能或者有源电路元件。优选地，保护电路单元适合于在ESD事件过程中疏导极大的电流，否则，这些电流将损伤或者破坏包含该保护电路单元的集成电路或者其它半导体器件。用于ESD保护的保护电路单元之一是寄生的n-p-n双极晶体管，有时被称为“阶跃恢复”器件。阶跃恢复器件容易制造，具有低漏电特性，并且一旦这种器件“阶跃恢复”到双极晶体管运行，就能够在ESD事件中疏导极大的电流。在当今半导体生产技术如浅沟隔离技术中，触发阶跃恢复器件工作的结击穿电压增加。同时，需要保护的灵敏有源电路元件的击穿电压在不断降低。保护电路单元的相对较高的击穿电压使得激活保护电路元件并且防止对有源电路元件的损伤变得太困难，从而减小了其有效性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成在半导体器件中的半导体保护结构，包括形成在一个衬底表面的多个有源区，每个有源区中包含第一极性的掺杂杂质，所述多个有源区空间上隔离开，并且在有源区之间包含衬底区域，该衬底区域包括相反极性的掺杂杂质，每个有源区由所述有源区和所述衬底区域之间形成界面的边缘来界定；第一覆盖膜覆盖所述多个有源区的第一有源区，第二覆盖膜覆盖第二有源区，各个覆盖膜与所述对应的有源区通过二者之间插入的介质膜隔离开，并且，由导电材料和半导体材料中的一种形成；第一导电膜通过第一多个接触开孔与所述第一有源区电连接，通过至少一个第一开口连接到所述第一覆盖膜，并连接到所述半导体器件的输入/输出端，和第二导电膜通过第二多个接触开孔与所述第二有源区电连接，通过至少一个第二开口连接到所述第二覆盖膜，并连接到电源和电线源中的至少一个上。2.根据权利要求1的半导体保护结构，其中所述多个有源区的每一个形成在所述衬底区域内，并且被所述衬底区域从侧面和下面包围。3.根据权利要求1的半导体保护结构，其中每个覆盖膜进一步扩展到部分所述衬底区域上，并且与所述衬底区域的所属部分电学绝缘。4.根据权利要求1的半导体保护结构，进一步包括其它如权利要求1所述的结构，所述半导体保护结构和所述其它半导体保护结构电学上并联。5.根据权利要求4的半导体保护结构，其中所述半导体器件包...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·A·阿什顿，耶虎达·斯穆哈，
申请(专利权)人：艾格瑞系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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