【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高反压晶体三极管的制造工艺，具体涉及。本专利技术的方法用Si3N4阻挡Ga分凝时的外扩散，改善小电流放大性能，从而降低负阻效应。本专利技术的高反压低负阻硅晶体管的制造方法包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，其特点是在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO2上面生长厚度为1000_的氮化硅Si3N4薄膜。上述的在SiO2上气相沉积氮化硅薄膜，是将化学计量比的SiH2Cl2与NH3混合，在795～805℃，压力0.1～1Torr条件下，通过如下化学反应生成Si3N4并沉积在带有SiO2缓冲层的硅片上。上述基区开管扩镓在单温区扩散炉里进行，用干燥的氢气与固态Ga2O3反应生成元素Ga，同时由氢气携带，使Ga在恒温区中形成高蒸气压的表面恒定源，经低浓度掺杂、结深推移和高浓度掺杂三阶段，在同一炉内连续完成，以形成P型Ga基区。上述低浓度掺杂时，硅片温度为1230～1250℃，Ga2O3杂质源的温度为860～900℃，H2流量为100～150ml/min，掺杂时间为10～15min，Ga2O3杂质...
【技术保护点】
高反压低负阻硅晶体管的制造方法，包括Ｎ型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，其特征是在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在ＳｉＯ↓［２］上面生长厚度为１０００＊的氮化硅Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜。
【技术特征摘要】
1.高反压低负阻硅晶体管的制造方法，包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，其特征是在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO2上面生长厚度为1000_的氮化硅Si3N4薄膜。2.如权利要求1所述的高反压低负阻硅晶体管的制造方法，其特征在于，所述的在SiO2上气相沉积氮化硅薄膜，是将化学计量比的SiH2Cl2与NH3混合，在795～805℃，压力0.1～1Torr条件下，通过如下化学反应生成Si3N4并沉积在带有SiO2缓冲层的硅片上。3.如权利要求1所述的高反压低负阻硅晶体管的制造方法，其特征在于，所述基区开管扩镓在单温区扩散炉里进行，用干燥的氢气与固态Ga2O3反应生成元素Ga，同时由氢气携带，使Ga在恒温区中形成高蒸气压的表面恒定源，经低浓度掺杂、结深推移和高浓度掺杂三阶段，在同...
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