下电极的制造方法技术

本发明专利技术提供一种下电极的制造方法，其步骤如下。在基底上形成具有电容器开口的氧化硅层，接着在氧化硅层的上表面和开口的侧壁和底部形成顺应性的导电层。之后在开口中填满光阻材质，并以此光阻材质为掩膜（ｍａｓｋ），移除氧化硅层的上表面上的顺应性的导电层，使其转为冠状导电层。之后移除氧化硅层，以暴露出冠状导电层的外侧表面，此时光阻材质仍位于开口内保护冠状导电层的内侧表面。待氧化硅层移除后，再移除光阻材质以暴露出冠状导电层的内侧表面。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，特别是有关于一种可避免下电极的粗糙表面遭受到氧化硅蚀刻液的攻击和污染的方法。请参照附图说明图1A，提供一基底100，此基底100的最上层部分为氮化硅层101，而此基底100中包含各种元件，例如晶体管等，为简化图面，仅以基底100代表。接着于基底100上形成一层硼磷硅玻璃(BPSG)层102，其中具有一开口104。接着，在硼磷硅玻璃层102的上表面和开口104的侧壁和底部形成一顺应性的粗糙型复晶硅层(rugged-poly layer)106。接着在开口104中填满一光阻材质108。接着请同时参照图1B和图3A的步骤s10，以光阻材质108为掩膜(mask)，利用化学机械研磨法移除硼磷硅玻璃层102上表面上的顺应性的粗糙型复晶硅层106，使其转为一冠状导电层106a。接着请同时参照图1C和图3A的步骤s11，在历经上述的化学机械研磨制程后，进行湿式处理，来移除开口104中的光阻材质108，以暴露出冠状导电层106a的内侧表面。所使用的湿式处理方法为依序使用APM溶液(即NH4OH/H2O2/H2O)和SPM溶液(H2SO4/H2O2)进行湿蚀刻。接着请同时参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种下电极的制造方法，包括下列步骤： 提供一基底； 在该基底上形成一氧化硅层，其中具有一开口； 在该氧化硅层的上表面和该开口的侧壁和底部形成一顺应性的导电层； 在该开口中填满一光阻材质； 以该光阻材质为掩膜（ｍａｓｋ），移除该氧化硅层的上表面上的该顺应性的导电层，以转为一冠状导电层； 以该光阻材质保护该冠状导电层的内侧表面，移除该氧化硅层以暴露出该冠状导电层的外侧表面；以及 移除该光阻材质以暴露出该冠状导电层的内侧表面。

【技术特征摘要】
1.一种下电极的制造方法，包括下列步骤提供一基底；在该基底上形成一氧化硅层，其中具有一开口；在该氧化硅层的上表面和该开口的侧壁和底部形成一顺应性的导电层；在该开口中填满一光阻材质；以该光阻材质为掩膜(mask)，移除该氧化硅层的上表面上的该顺应性的导电层，以转为一冠状导电层；以该光阻材质保护该冠状导电层的内侧表面，移除该氧化硅层以暴露出该冠状导电层的外侧表面；以及移除该光阻材质以暴露出该冠状导电层的内侧表面。2.如权利要求1所述的下电极的制造方法，其特征在于，该氧化硅层为硼磷硅玻璃(BPSG)层。3.如权利要求1所述的下电极的制造方法，其特征在于，该顺应性的导电层为一粗糙型复晶硅层。4.如权利要求1所述的下电极的制造方法，其特征在于，移除该氧化硅层的方法为依序使用BOE、DHF和SC1。5.如权利要求4所述的下电极的制造方法，其特征在于，BOE为HF/NH4F以10∶1的比例混合而成的溶液。6.如权利要求4所述的下电极的制造方法，其特征在于，DHF为HF/H2O以100∶1的比例混合而成的溶液。7.如权利要求4所述的下电极的制造方法，其特征在于，SC1为NH4OH/H2O2/H2O混合而成的溶液。8.如权利要求1所述的下电极的制造方法，其特征在于，移除该光阻材质的方法为干式剥除法。9.如权利要求1所述的下电极的制造方法，其特征在于，移除该光阻材质的方法为湿式剥除法。10.一种下电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]