用于处理衬底的下电极组件制造技术

一种下电极组件，包括绝缘体和下电极材料。下电极材料包括具有三级表面的周边部分。第一级表面支承具有预定宽度和长度的衬底。第二级表面具有的宽度对应于衬底预定宽度加上第一增量，其具有的长度对应于衬底预定长度加上第二增量。第三级表面的高度低于第二级表面。绝缘体横向设置在第二级表面和第三级表面上。

【技术实现步骤摘要】

这里描述的一个或者多个实施例涉及处理包括半导体衬底在内的衬底。
技术介绍
已知有多种平板显示器(FPD) 。 FPD的例子包括液晶显示器(LCD)、 等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)。这些显示器和其他 的电子器件利用包括负载闭锁室(load lock chamber)、传送室以及/或者工 艺室的衬底处理设备进行制造。这种类型的设备会很贵，而且就处理不同尺 寸的衬底来说是不够的。这些设备也没能采取足够的防范措施保护工艺室及 其部件在衬底处理过程中不受使用等离子体造成的腐蚀。
技术实现思路
相应地，本专利技术提供了一种下电极组件，包括绝缘体和包含周边部分的 下电极材料。所述周边部分包含第一级表面，用来支承具有预定宽度和长 度的衬底；第二级表面，所具有的宽度对应于所述衬底的所述预定宽度加上 第一增量，所具有的长度对应于所述衬底的所述预定长度加上第二增量；第 三级表面，所具有的高度低于所述第二级表面。其中，所述绝缘体橫向设置 在所述第二级表面和所述第三级表面上。本专利技术还提供了一种控制等离子体暴露状况的方法，包括在电极组件 的周边部分上形成绝缘体，所述电极组件包含支承待处理衬底的电极材料层。 所述电极材料层包含第一级表面、第二级表面和第三级表面。所述形成步骤 包含围绕着所述电极材料竖向形成第一绝缘板；在所述第一绝缘板附近并 围绕着所述第 一绝缘板形成第一陶瓷板；在至少所述电极材料层的所述第三 级表面上横向形成第二绝缘板；在所述第二绝缘板和所述电极材料层的所述 第二级表面上横向形成第二陶瓷板。附图说明图l是衬底处理设备中一种类型的下电极组件示意图。图2是图1下电极组件另一视图的示意图。图3是可以包含在衬底处理设备中的另 一种类型的下电极组件示意图。 图4是图3下电极组件另一视图的示意图。具体实施例方式一种衬底处理设备包括负载闭锁室(load lock chamber)、传送室和工运到另一个室或者位置，同时交替地保持大气和真空状态。传送室将来自负 载闭锁室的衬底传送到工艺室，以及/或者将来自工艺室的处理过的衬底传送 到负载闭锁室。工艺室对衬底进行处理，例如，衬底可能牵涉到在真空状态 下使用等离子体或者热能形成薄膜或者进行刻蚀操作。多个室之间的传送可 以由机器人来完成。图1表示的是一种类型的工艺室构造，图2表示的是这种室的另一个视 图。如图所示，该工艺室包括用来进行衬底处理工艺的室10。该室包括门11、 上电极20和下电极30。该门位于室的一侧，用于在室中产生真空状态。上 电极位于室中上面的位置，而下电极位于上电极下面。衬底S放在下电极上。上电极由喷淋头22形成，喷淋头22将工艺气体喷在衬底上。喷淋头包 括多个气体散射孔24,每个气体散射孔24都具有非常小的直径。工艺气体 经过喷淋头上的孔被均匀地供应到电极20和30之间的空间。通过向一个或 者两个电极施加高频功率，工艺气体被转换成等离子体，然后用等离子体对 衬底表面进行处理。下电极30包括基座板32、基座板上的绝缘材料34、绝缘材料上的冷却 板36以及冷却板上的下电极材料38。绝缘体50围绕着下电极设置，在下电 极上支承着衬底S用于进行等离子体处理。电极材料用较为便宜并广泛使用 的铝制成，绝缘体50起到的作用是，防止含铝电极材料与等离子体发生化学 反应造成腐蚀。等离子体是在上、下电极之间施加高压时流进下电极的气体 发生放电而形成的。也就是说，为了保护下电极不受等离子体的损坏，绝缘体包括围绕着下 电极上部放置的绝缘板52a、 52b，以及粘在绝缘板周围的陶瓷板54a、 54b。在处理过程中，衬底S仅仅放置在没有被绝缘体的陶瓷板54b覆盖的下电极 的顶部表面上。下电极可以被加工成使其表面尺寸对应于具有预定面积的衬 底的表面尺寸。因为下电极组件被加工成对应于待处理衬底的尺寸，所以，不同尺寸的 衬底在被放置在下电极组件上之后不能被刻蚀和灰化(ashed)。例如，1200 x 1300尺寸的衬底不能被放在被加工成对应1100 x 1300尺寸的下电极组件 上。因此，这样的衬底不能使用图1的设备进行刻蚀或者灰化。所以，必须 专门制造对应U00x 1300尺寸的下电极组件来处理这些类型的衬底，导致成 本增力口。而且，为了适应不同处理能力，工作场地必须包括多种处理设备，每种 处理设备具有处理不同尺寸衬底的下电极组件。这些处理设备占用了空间， 也增加了成本。图3表示的是可以用在衬底处理设备中的另一种类型的下电极组件的一 个实施例，图4表示的是这种组件的另一个视图。在可用到的地方，相对于 图1来说，相似的附图标记用于相似的构件。该村底处理设备可以包含在工中的半导体衬底在内的衬底的处理中。如图3和图4所示，工艺室包括室10，室10包括门11、上电极20和下 电极30。该门设置于室的一侧，用于在室中产生真空状态。上电极位于室中 上面的位置，而下电极位于上电极下面。村底S由下电极支^K。上电极设有喷淋头22，喷淋头22用于将工艺气体喷在衬底上。喷淋头 22包括多个气体散射孔24，每个气体散射孔24都具有非常小的直径。工艺 气体经过喷'淋头上的孔被均匀地供应到两个电极之间的空间，并通过例如向 电极施加高频功率，将工艺气体转换成等离子体。衬底表面用等离子体进行 处理。衬底被放在下电极上并受到处理。下电极可以连接到射频(RF)电源， 用于产生等离子体。下电极30包括基座板32、放置在基座板上的绝缘材料34、绝缘材料上 的冷却板36和冷却板上的下电极材料38。因为衬底S在下电极材料38上进 行处理，所以，对村底的处理可能受到室10内温度增加的影响。为了防止室 或者衬底的温度增加到预定温度甚至更高，下电极30设有冷却板36。冷却板包括用于4吏冷却剂循环的冷却剂通道。当冷却剂在这个通道中循环时，冷却板防止下电极超过预定温度。所以，冷却板将衬底s的温度保持 在恒定水平或者保持在预定温度范围内。绝缘体100围绕着下电极的下电极材料38设置，以防止由于等离子体处 理造成的下电极材料腐蚀。该绝缘体包括绝缘板102a，绝缘板102a覆盖下 电极材料38下部的一侧或者周边部分、冷却板36的一侧或者周边部分、绝 缘材料34的一侧或者周边部分以及基座板32的一侧或者周边部分。该绝缘 体还包括陶瓷板104a，陶瓷板104a覆盖绝缘板102a的外表面。根据一个实施例，绝缘板102a围绕着下电极材料38下部、冷却板36、 绝缘材料34和基座板32的一侧或者周边部分竖向设置。当按此方式设置时， 绝纟彖板102a与前述构件的侧面或者周边部分接触。陶乾4反104a也可以在绝 缘板102a的外侧上面竖向设置并与之接触。绝缘体100进一步包括绝缘板102b和陶乾板104b,绝缘板102b和陶瓷 板104b围绕着下电极材料38的上部横向设置，下电极材料38例如延伸超过 衬底S。因此，绝缘体的这些板覆盖了下电极材料38、冷却板36、绝缘材料 34和基座板32的例如不直接位于衬底S下面并因此容易受到室内产生的等 离子体腐蚀或其他负面影响的表面。根据一种应用场合，下电极材料38的上部可以具有3台阶结构，包括上 面放衬底S的第一级表面、台阶高度低于第一级表面的第二级表面和台阶高 度低于第二级表面的第三级表面。该结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种下电极组件，包括：　绝缘体；以及　包含周边部分的下电极材料，所述周边部分包含：　第一级表面，用来支承具有预定宽度和长度的衬底，　第二级表面，所具有的宽度对应于所述衬底的所述预定宽度加上第一增量，所述具有的长度对应于所述衬底的所述预定长度加上第二增量，以及　第三级表面，所具有的高度低于所述第二级表面，　其中，所述绝缘体横向设置在所述第二级表面和所述第三级表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金敬勋，高英培，
申请(专利权)人：爱德牌工程有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]