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本发明提供一种下电极的制造方法，其步骤如下。在基底上形成具有电容器开口的氧化硅层，接着在氧化硅层的上表面和开口的侧壁和底部形成顺应性的导电层。之后在开口中填满光阻材质，并以此光阻材质为掩膜（ｍａｓｋ），移除氧化硅层的上表面上的顺应性的导电层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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