【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及应用到硅压阻式压力传感器的信号调理的电路设计的相关
,特别是一种压力传感器的温度漂移的补偿方法。
技术介绍
硅压阻式压力传感器利用惠斯登电桥原理测量物体所受压力值,一般是在圆形硅膜片上扩散出四个相等的电阻,将它们连成一个惠斯登电桥,如图1所示。由于硅材料的特性,硅压阻式压力传感器在不同温度下的压力响应特性是不一致的。为了避免温度对压力传感器的影响,提高了压力传感器的在不同温度点下的线性特性,需要对压力传感器进行相应的温度补偿。
技术实现思路
本专利技术目的在于克服以上现有技术之不足,提供一种硅压阻式压力传感器温度漂移的补偿方法,具体有以下技术方案实现:所述硅压阻式压力传感器温度漂移的补偿方法,包括如下步骤:1)在温度区间[T1,T2]内,T1、T2均为温度值,且T1<T2,选取若干个温度点T,保持温度T不变,采集不同压力P下的压力输出值,通过线性拟合方法,计算出压力输出值的一阶线性公式,再根据式一阶线性公式通过对各温度点的零点a和灵敏度b进行二阶线性拟合,计算出各温度点的二阶拟合公式a(T)和b(T),得到不同温度点T对应的零点aT和灵敏度bT;2)在温度区间[T1,T2]内,设定已知选取的拟合温度点T,通过判断该温度点T所在的拟合温度区间[T3,T4],T1、T2、T3、T4均为温度值,且T1<T3≤T≤T4<T2,通过线性差值公式计算该温度点T的压力输出值UT,其中U3、U4分别为温度点T3、T4下的压力输出值;3)根据式(2)计算出补偿后的压力输出值U′T,式(2)中,a0是常温下的传感器的零位,b0是常温下的传感器的灵敏度所 ...
【技术保护点】
一种硅压阻式压力传感器温度漂移的补偿方法,包括如下步骤:1)在温度区间[T1,T2]内,T1、T2均为温度值,且T1<T2,选取若干个温度点T,保持温度T不变,采集不同压力P下的压力输出值,通过线性拟合方法,计算出压力输出值的一阶线性公式,再根据式一阶线性公式通过对各温度点的零点a和灵敏度b进行二阶线性拟合,计算出各温度点的二阶拟合公式a(T)和b(T),根据所述二阶拟合公式a(T)和b(T)得到不同温度点T对应的零点aT和灵敏度bT;2)在温度区间[T1,T2]内,设定已知选取的拟合温度点T,通过判断该温度点T所在的拟合温度区间[T3,T4],T1、T2、T3、T4均为温度值,且T1<T3≤T≤T4<T2,通过线性差值公式计算该温度点T的压力输出值UT,其中U3、U4分别为温度点T3、T4下的压力输出值;3)根据式(2)计算出补偿后的压力输出值UT′,式(2)中,a0是常温下的传感器的零位,b0是常温下的传感器的灵敏度UT′=a0+UT-aTbT×b0---(2).]]>
【技术特征摘要】
1.一种硅压阻式压力传感器温度漂移的补偿方法,包括如下步骤:1)在温度区间[T1,T2]内,T1、T2均为温度值,且T1<T2,选取若干个温度点T,保持温度T不变,采集不同压力P下的压力输出值,通过线性拟合方法,计算出压力输出值的一阶线性公式,再根据式一阶线性公式通过对各温度点的零点a和灵敏度b进行二阶线性拟合,计算出各温度点的二阶拟合公式a(T)和b(T),根据所述二阶拟合公式a(T)和b(T)得到不同温度点T对应的零点aT和灵敏度bT;2)在温度区间[T1,T2]内,设定已知选取的拟合温度点T,通过判断该温度点T所在的拟合温度区间[T3,T4],T1、T2、T3、T4均为温度值,且T1<T3≤T≤T4<T2,通过线性差值公式计算该温度点T的压力输出值UT,其中U3、U4分别为温度点T3、T4下的压力输出值;3...
【专利技术属性】
技术研发人员:焦祥锟,彭成庆,
申请(专利权)人:南京高华科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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