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高反压低负阻硅晶体管的制造方法，属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括Ｎ型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在ＳｉＯ＃－［２］上面生长厚度为１０００...
该专利属于山东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东师范大学授权不得商用。

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