N＜100＞衬底扩散、抛光工艺制造技术

本发明专利技术公开的Ｎ＜１００＞衬底扩散、抛光工艺，其包括磷预扩散、磷主扩散、单晶片来制做ＶＤＭＯＳ管，提高了产品的性能同时也降低了成本，且所采用的扩散、抛光工艺简单可行。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用单晶硅片来制做VDMOS管的衬底扩散、抛光工艺，特别是N<100>衬底扩散、抛光工艺。
技术介绍
目前，用来制做VDMOS管采用的单晶体有P<100>、N<111>、P<111>。三种规格型号，而利用这些规格型号的单晶体来制做VDMOS管存在着产品性能难以提高，制做成本偏高的问题。同时对这些规格型号的单晶体采用化学、机械的抛光工艺进行抛光时，也存在着工艺复杂的弊病。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用N<100>单晶片来制做VDMOS管的衬底扩散、抛光工艺。以解决现有P<100>、N<111>、P<111>等规格型号单晶体制做VDMOS管存在的不足之处。为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案是N<100>衬底扩散、抛光工艺，其特征包括以下步骤1、磷预扩散其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
Ｎ〈１００〉衬底扩散、抛光工艺，其特征包括以下步骤：（１）、磷预扩散：其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定量的磷原子；（２）、磷主扩散：是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温扩散使结深达到要求值，以满足 器件的性能要求；（３）、磨片：采用机械磨削方法，对主扩后的硅片厚度及表面进行控制加工；（４）、抛光：采用抛光液抛去经磨片后硅片表面上存在的损伤层，形层良好的镜面；（５）、清洗：使用电子清洗液和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以 去除硅片表面上的杂质与污染物。

【技术特征摘要】
1.N<100>衬底扩散、抛光工艺，其特征包括以下步骤(1)、磷预扩散其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定量的磷原子；(2)、磷主扩散是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温扩散使结深达到要求值，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂芝，符孝权，梁晓玲，邓泳梅，
申请(专利权)人：衡阳科晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]