一种半导体器件的发射区结构，其特征是由许多碎块（１）构成的，相邻碎块（１）的间距Ｓ在１．４倍扩散结深Ｘｊ与１．６倍扩散结深Ｘｊ之间。

本发明公开的Ｎ＜１００＞衬底扩散、抛光工艺，其包括磷预扩散、磷主扩散、单晶片来制做ＶＤＭＯＳ管，提高了产品的性能同时也降低了成本，且所采用的扩散、抛光工艺简单可行。

本发明公开的深结硼衬底扩散抛光片，它是由硼预扩散、硼主扩散、磨片、抛光、清洗等工艺步骤制备而成的。通过上述方法制得的深结硼扩散抛光片能完全代替现有的外延片，从而大大降低了制作ＰＮＰ三极管和晶闸管成本。

本发明公开的共晶焊背面金属化工艺，其特征包括正面保护、背面减薄、背面抛光、清洗、蒸镀、合金等工艺步骤。本发明利用砷金与硅接触电阻小的特点，在管芯的背面蒸镀上一层砷金，解决了一般金属同硅接触呈整流特性的问题，以便在引线时能获得良好的欧姆接...

三维立体旋转磁场定位治疗仪，其特征是在一个三维的球面上交错排列有多个能产生电磁场的电磁铁装置，其中上半球面上的某个电磁铁装置必定与下半球面上的某个电磁铁装置同时处于过球面中心点的直线上，电磁铁装置可以在计算机程序控制下，依次通电产生磁场...

三维立体旋转磁场定位治疗系统，其是在一个三维的球面上交错排列有多个能产生电磁场的电磁铁装置，其中上半球面上的某个电磁铁装置必定与下半球面上的某个电磁铁装置同时处于过球面中心点的直线上，电磁铁装置可以在计算机程序控制下，依次通电产生磁场，...

放射性纳米铁核素药物，其可以是将纳米铁经原子能辐照，将一个中子打入铁的原子核中，或是将纳米铁放入加速器中，利用慢中子的反应，使其成为半衰期为４６～４８天的放射性铁纳米核素来制备而成。本发明还公开了这种放射性纳米铁核素药物在医药中的应用。...

本发明公开的顺磁材料在医药上的应用，是将顺磁材被制成微粒状或纳米级后，具有流动性和顺磁性，交联上其它治疗疾病的药物后，因而可以在体外磁场的作用下，准确定位并聚集到病灶（肿瘤组织）区域，对病灶（肿瘤组织）进行治疗。另外这些微粒状或纳米级的...