深结硼衬底扩散抛光片制造技术

本发明专利技术公开的深结硼衬底扩散抛光片，它是由硼预扩散、硼主扩散、磨片、抛光、清洗等工艺步骤制备而成的。通过上述方法制得的深结硼扩散抛光片能完全代替现有的外延片，从而大大降低了制作ＰＮＰ三极管和晶闸管成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制作PNP三极管和晶闸管的深结硼衬底扩散抛光片。
技术介绍
目前，半导体行业制作PNP三极管和晶闸管，均是采用外延片。其存在着制作成本偏高的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是用提供一种用于制作PNP三极管和晶闸管的深结硼衬底扩散抛光片。为了实现上述专利技术目的，本专利技术所采用的技术方案是深结硼衬底扩散抛光片，其特征它是采用如下步骤制备而成的1、硼预扩散其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定的硼原子；2、硼主扩散是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温再扩使结深达到要求；3、减薄采用机械磨削方法，对主扩散后的硅片进行磨削；4、抛光采用抛光液抛去硅片经减薄后表面存在损伤层，使其表面形成良好的镜面；5、清洗使用电子清洗剂和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以去除硅片表面存在的杂质和污染物。本专利技术所提供的深结硼衬底扩散抛光片能完全代替现有的外延片，大大降低了制作PNP三极管和晶闸管成本。具体实施例方式深结硼衬底扩散抛光片，是采用如下步骤制备而成的1、硼预扩散其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定的硼原子；2、硼主扩散是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温再扩使结深达到要求； 3、减薄采用机械磨削方法，对主扩散后的硅片进行磨削；4、抛光采用抛光液抛去硅片经减薄后表面存在损伤层，使其表面形成良好的镜面；5、清洗使用电子清洗剂和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以去除硅片表面存在的杂质和污染物。

【技术保护点】
深结硼衬底扩散抛光片，其特征它是采用如下步骤制备而成的：（１）、硼预扩散：其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定的硼原子；（２）、硼主扩散：是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温再扩使结深达到要求；（ ３）、减薄：采用机械磨削方法，对主扩散后的硅片进行磨削；（４）、抛光：采用抛光液抛去硅片经减薄后表面存在损伤层，使其表面形成良好的镜面；（５）、清洗：使用电子清洗剂和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以去除硅片表面存在的杂质和污染物 。

【技术特征摘要】
1.深结硼衬底扩散抛光片，其特征它是采用如下步骤制备而成的(1)、硼预扩散其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定的硼原子；(2)、硼主扩散是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温再扩使结深达到要求；(...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓建伟，蒋小兵，刘谋华，刘清，
申请(专利权)人：衡阳科晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]