【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本技术属电力电子
,涉及一种快速功率开关器件。目前国内所制造的快速晶闸管其开通时间和关断时间较长,di/dt和dv/dt耐量不能兼顾,工作频率较低,一般低于2.5KHZ,在di/dt与dv/dt都高的场合不能胜任。国际上相同电流容量能在高频下工作的快速晶闸管,如目前水平比较高的美国西屋公司T7SH124-054DN,其最高转折电压不超过1300V,不能适应我国380V电网电压,且价格昂贵。本技术的目的在于提供一种工作电压高,开通时间和关断时间短,di/dt和dv/dt耐量高,能在高频下工作的晶闸管,具有动态特性好,制造方便,成本低的优点。本技术的技术特征是晶闸管的光刻版采用放大门极为工字形,短路点为正方形分布。电阻率为50~60Ωcm,片厚320~330μmP1区杂质表面浓度为2~8×1017cm-3,N2区表面杂质浓度为5~8×1020cm-3,P1区结深为60~70μm,N2结深为17~21μm。高频晶闸管主要工作在高频开关状态下,它的开关特性必须能满足快速高频应用的条件,由于工作频率较高,开通损耗和关断损耗与频率成正比,所以其开关损耗是主要的,在高频情况下若电流上升时间较长,扩展速度较慢,则由门极触发导通造成的门极附近局部点电流密度过大而发热,温度急剧上升,产生“热疲劳”现象,使关断时间长,承受di/dt能力下降,元件不能正常工作甚至烧毁。由于di/dt的作用造成局部温度升高,甚至会产生“热逸走”现象。为解决“热疲劳”和“热逸走”现象,必须提高器件承受di/dt的耐量,提高它的导通区扩展速度和减小开通时间,相应措施是改进门极-阴极结构,扩大它的初 ...
【技术保护点】
一种晶闸管,包括硅片、光刻版,其特征在于所说的光刻版上图形的放大门极〔1〕为工字形,短路点〔2〕为正方形分布,所说的硅片的厚度为320~340mm,其P区表面杂质浓度为2~8×10↑[17]cm↑[-3],N↓[2]区表面杂质浓度为5~8×10↑[20]cm↑[-3],P↓[1]区结深为60~70mm,N↓[2]区结深为17~21mm。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶闸管,包括硅片、光刻版,其特征在于所说的光刻版上图形的放大门极[1]为工字形,短路点[2]为正方形分布,所说的硅片的厚度为320~340mm...
【专利技术属性】
技术研发人员:王培清,张斌,陈永琪,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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