半导体发光器件制造技术

一种半导体发光元件（１），其利用各向异性导电粘合剂（３）安装在基底（２）上，各向异性导电粘合剂（３）具有与热固树脂（３１）扩散混合的导电微粒（３２）并且布置在一对形成在半导体发光元件（１）的相同表面上的电极（１１和１１’）与形成在基底（２）上的线电极（２１和２１’）之间。在面对半导体元件（１）的线电极（２１和２１’）的一部分表面上形成有凹陷（２２和２２’），从而导电微粒（３２）稳定地呈现在电极（１１和１１’）与线电极（２１和２１’）之间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体发光器件，尤其涉及一种具有半导体发光元件(以下成为发光元件)的半导体发光器件，所述发光元件利用各向异性导电粘合剂通过倒装结合法(flip-chip bonding)结合到基底上。在上述传统结构的半导体发光器件中，在LED元件1的顶表面上形成了电流扩散膜13和电极12和12’。这截住了部分发射出的光，造成低的光提取效率。而且，结合线需要折弯具有最低限度或较低限度的弯曲度。这将造成使得器件变小非常困难。如图6所示，克服这些不便的一个方法是在线电极21和21’上形成凸块B和B’，从而通过这些凸块B和B’，LED元件1通过倒装结合法(flip-chip bonding)结合到基底2上的线电极21和21’上。在这种结构中，没有任何东西在LED元件1的顶表面上，即光通过它从其出来的其表面上，截住发射的光。这有助于增加光提取效率。而且不使用结合线能够使器件变小。然而，利用凸块的倒装结合法会造成实现结合的地方的周围的机械强度低下，由此导致低的可靠性。而且，凸块需要精确地形成在每个发光元件的电极上或形成在基底上的线电极上的预定位置上。这会降低生产效率，和器件的产量。而且，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括半导体发光元件和具有形成在其上的线电极的基底，所述半导体发光元件具有一对形成在其相同表面上的电极，所述半导体发光元件利用布置在所述一对电极与所述线电极之间的各向异性导电粘合剂安装在基底上，所述各向异性导电粘合剂具有与热固树脂分散混合的导电微粒，其中在每个线电极面对发光元件的一部分表面上形成有凹陷，从而导电微粒稳定地呈现在所述一对电极与所述线电极之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-7-5 2002-1974831.一种半导体发光器件，包括半导体发光元件和具有形成在其上的线电极的基底，所述半导体发光元件具有一对形成在其相同表面上的电极，所述半导体发光元件利用布置在所述一对电极与所述线电极之间的各向异性导电粘合剂安装在基底上，所述各向异性导电粘合剂具有与热固树脂分散混合的导电微粒，其中在每个线电极面对发光元件的一部分表面上形成有凹陷，从而导电微粒稳定地呈现在所述一对电极与所述线电极之间。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中形成在每个线电极表面上的凹陷的深度小于导电微粒的微粒直径。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中形成在每个线电极表面上的凹陷的深度大于导电微粒的微粒直径的1/10。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：筒井毅，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]