半导体芯片及其制造方法技术

一种半导体芯片制造方法，从半导体单晶片（１００）切制半导体芯片（５００），该芯片（１００）具有支持半导体元件（１０２）的第１面以及该第１面之反面的第２面，其中，该方法包括如下步骤：　　　　等向蚀刻－从上述第１面与上述第２面当中某一面或两面，至少部分地等向蚀刻上述半导体单晶片的切掉部分；以及　　　　异向蚀刻－从上述第１面与上述第２面当中某一面或两面，异向蚀刻上述半导体单晶片的切掉部分之剩余部分，以切掉上述半导体单晶片的切掉部分。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及按给定大小将半导体单晶片切块制成半导体芯片的半导体芯片制造方法。
技术介绍
按已有半导体芯片制造工序，在切块工序(dicing process)中，半导体芯片制造装置的圆盘状切刀(dicing blade切割刀片)边旋转边纵横移动，将形成有许多半导体元件的半导体单晶片切块，制成许多半导体芯片。通常，被切制成的半导体芯片呈方盒状。然而，根据上述已有半导体芯片制造方法，由于半导体芯片制造装置的切割刀片是通过纵横移动来切割半导体单晶片的，所以半导体单晶片上形成的半导体芯片数量越多，切割次数也越多，耗费加工时间。又，在切块工序使用切割刀片时，为确保切割刀片通路，半导体芯片间间隔(切割线宽)一定要大于等于切割刀片宽(一般为50μm左右)，这不利于半导体单晶片上高密度形成半导体芯片。另外，近年来半导体单晶片薄型化加速，甚至出现了厚度仅有50μm左右的半导体单晶片。若以切割刀片进行切割，这种薄型半导体单晶片就显得脆弱，易弄出豁口。再者，由于切制成的半导体芯片呈方盒状，所以在搬运中缘部易弄出豁口，致使成品率下降。
技术实现思路
本专利技术目的就在于提供一种可避免上述弊端的新颖而实用的。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1一种半导体芯片制造方法，从半导体单晶片(100)切制半导体芯片(500)，该芯片(100)具有支持半导体元件(102)的第1面以及该第1面之反面的第2面，其中，该方法包括如下步骤等向蚀刻——从上述第1面与上述第2面当中某一面或两面，至少部分地等向蚀刻上述半导体单晶片的切掉部分；以及异向蚀刻——从上述第1面与上述第2面当中某一面或两面，异向蚀刻上述半导体单晶片的切掉部分之剩余部分，以切掉上述半导体单晶片的切掉部分。2按权利要求1所述的方法，其中，还包括如是步骤从上述第1面等向蚀刻上述切掉部分时，在上述第1面上形成能使上述第1面上切掉部分露出的光阻(30...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泉直幸，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：