【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于布线结构和电光面板的制造方法以及电光面板、其布线结构和电子设备的
技术介绍
具有规定的间隙、粘合(贴合)2片基板来构成液晶装置等的电光装置。限制基板间的距离的是作成了大致四角形的形状的被称为密封部的外框，在密封部的内侧充填液晶等的电光物质。在这样的电光装置中，有使用背光(バツクライト)的光来显示的透射型、将在装置内部反射了外部光的反射光用于显示的反射型、以及在明亮的场所进行使用了外部光的反射显示而在黑暗的场所使用从内置的背光发出的光源光进行透射(透过)显示的半透射反射型。作为半透射反射型的电光装置，开发了在以矩阵状排列的各像素中具备半透射反射电极的内面反射方式的装置。在该装置中，例如在铝(アルミニウム)膜等的反射电极或反射膜上重叠ITO(铟锡氧化物)膜等的透明电极而形成半透射反射电极。此外，与各像素对应地设置有薄膜晶体管(以下，适当地称为TFT(ThinFilm Transistor))。各TFT的源(极)与各数据线连接，其漏(极)与各透明电极连接，其栅(极)与各扫描线连接。将各数据线、各扫描线从密封部的内部向外部引出，形成了连接端子。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种布线结构的制造方法，其特征在于，具备形成具有第1层和被层积在上述第1层之上的第2层的布线的工序；从上述布线之上开始通过蚀刻对第3层进行图案形成使得至少覆盖上述布线的侧壁并且使上述第2层的上面的一部分露出的工序；以及至少在上述第2层露出的部分上形成第4层的工序；其中，上述第2层对于上述第3层的蚀刻中使用的蚀刻剂具有耐蚀性，另一方面，上述第1层对于上述蚀刻剂具有侵蚀性。2.根据权利要求1所述的布线结构的制造方法，其特征在于上述第1层和上述第3层由相同的材料构成。3.根据权利要求1或2所述的布线结构的制造方法，其特征在于在包含氧的气氛中进行形成上述第4层的工序的一部分，在上述第3层与上述第4层的界面上形成每单位面积的电阻值比上述第2层的每单位面积的电阻值高的氧化膜；上述第2层的材料使用与上述第3层的材料相比难以被氧化的导电材料。4.根据权利要求1至3的任意一项所述的布线结构的制造方法，其特征在于上述布线是在上述第1层之下具有下层的3层结构；形成上述布线的工序，顺次地对上述下层、上述第1层和上述第2层进行图案形成。5.根据权利要求1至4的任意一项所述的布线结构的制造方法，其特征在于上述第1层包含铝，上述第2层包含氮化钛，上述第4层包含铟锡氧化物。6.一种电光装置的制造方法，是在密封的内侧封入电光物质而构成的电光装置的制造方法，其特征在于，具备在基板上以矩阵状形成具有多个电极的半导体元件的工序；形成与在上述密封的外侧形成的连接端子连接的、具有第1层和被层积在上述第1层上的第2层的布线的工序；在上述密封的内侧从上述各半导体元件之上开始形成绝缘层的工序；使用第1材料与上述各半导体元件对应地在上述绝缘层上形成多个反射电极、同时从上述布线之上开始形成第3层使得至少覆盖上述布线的侧壁并且在上述连接端子的一部分中使上述第2层露出的工序；以及使用第2材料形成透明电极使得覆盖上述反射电极、同时从位于上述密封的外侧的上述布线中至少上述第2层露出的部分上开始形成第4层的工序。7.根据权利要求6所述的电光装置的制造方法，其特征在于上述第1层由上述第1材料构成。8.根据权利要求6或7所述的电光装置的制造方法，其特征在于在包含氧的气氛中进行形成上述透明电极和上述第4层的工序的一部分，在上述第3层与上述第4层的界面上形成每单位面积的电阻值比上述第2层的每单位面积的电阻值高的氧化膜；上述第2层的材料使用与上述第3层的材料相比难以被氧化的导电材料。9.根据权利要求6至8的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于上述布线是在上述第1层之下具有下层的3层...
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