【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件封装,具体地说,涉及一种用于不需要铸模体的半导体器件封装。
技术介绍
一般,半导体器件,特别是MOS场效应晶体管,需要有具有良好热性能的非常低的封装电阻(RDSon)。通常,它还需要有简单、快速而又有效的方法来封装半导体器件。因此,在现有的技术中,已经发展了许多封装想法和方法。一种这样的封装设想的一个例子包含有球栅极阵列(ball grid arrayBGA)。这样一种想法包含源极栅极阵列和直接连接到印刷电路板(PCB)上的栅极漏极焊球。这就需要一个凸出墩台和用来便于漏极接触的引线框,另一封装想法是一般被称之为导入铸模封装中的反装晶片(Flip chip in beadedMolded Package,FLMP),它包括铸模的导入表面安装封装,在这封装上把凸出的墩台连接到框架的栅极和源极的漏极点。在墩台背侧的漏极从铸模综合体即本体上曝露出来,并通过标准线路板安装工艺过程中的焊料回流被连接到PCB。另外的封装想法使用铜带和/或金属线焊接技术。这些现有技术的想法牵涉到各种组成部分,并可能导致复杂的制作(封装)工艺。
技术实现思路
本专利技术 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,包括:基片;连接到基片的墩台;以及连接到基片的,与墩台相邻的多个焊球,当该半导体器件连接到印刷电路板时,该焊球与墩台的一个平面基本上是共面的。
【技术特征摘要】
US 2001-2-1 09/776,3411.一种半导体器件,其特征在于,包括基片;连接到基片的墩台;以及连接到基片的,与墩台相邻的多个焊球,当该半导体器件连接到印刷电路板时,该焊球与墩台的一个平面基本上是共面的。2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,其中基片包括基本层、金属层和在该基本层和金属层之间的绝缘层。3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,其中基本层包括金属化的图形,而金属层包括第二金属化图形。4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,其中基本层包括金属化的陶瓷片。5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,其中金属化陶瓷片包括至少一层金属层。6.一种封装半导体器...
【专利技术属性】
技术研发人员:R乔希,
申请(专利权)人:费查尔德半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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