功率放大器模块封装及其封装方法技术

一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：提供一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；将所述一体型图案与金属层接合；以及在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积形成有至少一个外部信号连接导线的陶瓷侧壁。

【技术实现步骤摘要】

下述的实施例涉及一种功率放大器模块封装及其封装方法，更具体地来讲，涉及一种使用一体型图案来封装功率放大器模块的技术。
技术介绍
现有的功率放大器模块封装技术使用由金属物质形成的封装基板来封装功率放大器模块。此时，封装基板根据具有包括陶瓷层和插入有图案的槽的金属侧壁按金属物质而制成。因此，现有的功率放大器模块封装技术由于封装基板的侧壁全部按金属物质而制成，其存有制作费用高的问题。并且，现有的功率放大器模块封装技术在提供功率放大器模块封装后，在插入图案的过程中，存在着必须执行在封装基板上对用于绝缘的陶瓷层进行薄膜/厚膜且蚀刻之追加工艺的缺点。对此，下述的实施例建议了一种通过使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案从而降低制作费用并且不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻之追加工艺的技术。
技术实现思路
实施例提供一种使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案的功率放大器模块封装方法和据此制成的功率放大器模块封装。具体来讲，实施例通过使用陶瓷侧壁提供了一种降低制作费用的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。并且，实施例通过使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案，提供了一种不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻之追加工艺的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。根据一个实施例，一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：提供一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；将所述一体型图案与金属层接合；以及在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积形成有至少一个外部信号连接导线的陶瓷侧壁。所述陶瓷侧壁包括用于将所述图案和所述至少一个外部信号连接导线相连接而形成的至少一个竖直导通孔。将所述一体型图案与金属层接合的步骤包括以下步骤：在所述金属层的表面上涂覆金属涂层后，使所述一体型图案与涂覆所述金属涂层的表面相接合。所述功率放大器模块封装方法，进一步包括如下步骤：在所述一体型图案包括的所述陶瓷层中形成的槽中按与所述图案相连接而集成芯片。沉积所述陶瓷侧壁的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁的上部形成金属线。形成所述金属线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁和所述金属线之间配置绝缘层。所述功率放大器模块封装方法，进一步包括如下步骤：在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积的所述陶瓷侧壁装载外盖。根据一个实施例，一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：在金属层上沉积陶瓷侧壁；以及在所述陶瓷侧壁中形成至少一个外部信号连接导线。形成所述至少一个外部信号连接导线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁的上部形成金属线。形成所述金属线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁和所述金属线之间配置绝缘层。根据一个实施例，一种功率放大器模块封装，包括：一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；金属层，与所述一体型图案接合；以及陶瓷侧壁，沉积在与所述金属层接合的所述一体型图案上，其中，在所述陶瓷侧壁形成有至少一个外部信号连接导线。所述陶瓷侧壁包括为了将所述图案与所述至少一个外部信号连接导线相连接而生成的至少一个竖直导通孔。所述一体型图案，在所述金属层的表面上涂覆金属涂层后，与涂覆所述金属涂层的表面相接合。一种功率放大器模块封装，包括：金属层；沉积在所述金属层上的陶瓷侧壁；以及形成于所述陶瓷侧壁中的至少一个外部信号连接导线。实施例可提供一种使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案的功率放大器模块封装方法和据此制成的功率放大器模块封装。具体来讲，实施例可通过使用陶瓷侧壁提供一种降低制作费用的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。并且，实施例通过使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案，可提供一种不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻之追加工艺的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。附图说明图1A至图1B是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的示图。图2是用于说明根据一个实施例的金属层的示图。图3是用于说明根据一个实施例的一体型图案与金属层接合的过程的示图。图4是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装方法的示图。图5A至图5B是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装的示图。图6是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装方法的示图。具体实施方式以下，参考附图对本专利技术的实施例进行详细说明。但本专利技术并不局限或限定于实施例。并且各个附图中显示的相同参考符号表示相同的部件。并且，本专利技术中使用的用语(terminology)作为用于适当表现本专利技术优选实施例而使用的用语，其可根据使用者、运用者的意图或本专利技术所属领域的惯例等而变化。因此，该用语的定义应基于本说明书整体所涉及的内容来做出。图1A至图1B是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的示图。具体来讲，图1A是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的透视图，图1B是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的剖面图。参考图1A至图1B，功率放大器模块封装100包括：一体型图案110，包括陶瓷层111和在陶瓷层111上被图案化的图案112；与一体型图案110接合的金属层120；以及沉积在与金属层120接合的一体型图案110上的陶瓷侧壁130。在此，在陶瓷侧壁130中形成至少一个外部信号连接导线131。以下，根据一个实施例的功率放大器模块封装100与参考图5A至图5B而后述的另一个实施例的功率放大器模块封装不同，其可以是按包括一体型图案110而被封装的一体型封装。图案112根据功率放大器模块封装100的用途，可预先在陶瓷层111上被图案化。在此，陶瓷层111可由多种绝缘物质构成。例如，图案112根据形成在陶瓷层111上的槽113的位置(例如，除槽113位于的区域以外的余下区域上)，可按与芯片(chip)114连接集成而被图案化。虽然在附图中示出了芯片114被集成进而包含在图案112中的情况，但其并不局限或限定于此，芯片114也可按在提供接收功率放大器模块封装100的一侧中被集成而不被包含在图案112中。一体型图案110在金属层120的表面上，在如Ni之金属涂层(但并不局限或限定于此，其可使用多种金属物质或金属混合物质)被涂覆后，可与涂覆金属涂层的表面相接合。与此相关的详细说明参考图3进行记载。在此，金属层120可按包括将功率放大器模块封装100与其他模块相连接的至少一个连接框121而形成。此时，金属层120可由铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质构成。但，其并不局限或限定于此，金属层120可由具有预先设定范围内的热导率和预先设定范围的热膨胀率的多种金属物质或金属混合物质构成。与此相关的详细说明将参考图2进行记载。以下，沉积在与金属层120相接合的一体型图案110上的陶瓷侧壁130虽然按以陶瓷物质而形成进行了说明，但其并不局限或限定于此，也可由包括导电性物质或绝缘性物质等多种物质构成。在这种陶瓷侧壁130中形成至少一个外部信号连接导线131。例如，至少一个外部信号连接导线131可与陶瓷侧壁130的上部接合而形成。此时，至少一个外部信号连接导线131可由多种导电性物质形成。并且，陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：提供一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；将所述一体型图案与金属层接合；以及在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积形成有至少一个外部信号连接导线的陶瓷侧壁。

【技术特征摘要】
2015.08.07 KR 10-2015-01117101.一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：提供一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；将所述一体型图案与金属层接合；以及在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积形成有至少一个外部信号连接导线的陶瓷侧壁。2.如权利要求1所述的功率放大器模块封装方法，其特征在于，所述陶瓷侧壁包括用于将所述图案和所述至少一个外部信号连接导线相连接而形成的至少一个竖直导通孔。3.如权利要求1所述的功率放大器模块封装方法，其特征在于，将所述一体型图案与金属层接合的步骤包括以下步骤：在所述金属层的表面上涂覆金属涂层后，使所述一体型图案与涂覆所述金属涂层的表面相接合。4.如权利要求1所述的功率放大器模块封装方法，进一步包括如下步骤：在所述一体型图案包括的所述陶瓷层中形成的槽中按与所述图案相连接而集成芯片。5.如权利要求1所述的功率放大器模块封装方法，其特征在于，沉积所述陶瓷侧壁的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁的上部形成金属线。6.如权利要求5所述的功率放大器模块封装方法，其特征在于，形成所述金属线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁和所述金属线之间配置绝缘层。7.如权利要求1所述的功率放大器模块封装方法，进一步包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炅虐，韩旻锡，金英基，
申请(专利权)人：财团法人多次元智能IT融合系统，
类型：发明
国别省市：韩国;KR