【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体模块的封装结构,具体涉及一种非绝缘型FRD模块的封装结构。
技术介绍
功率半导体模块或称电力电子模块是为工作在相对较高的电压或电流的电路中设计的。功率半导体模块至少包括功率半导体晶元,用于进行电流的切换、调节或者整流。功率半导体模块的种类至少包括可控硅整流器(SCR)、功率调节器、功率晶体管、绝缘栅型双极晶体管(IGBT)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)、功率整流器、快恢复二极管、肖特基二极管、或者任何其它的功率半导体元件。功率半导体模块,特别是具有双管结构的大功率单相半桥快恢复二极管半导体模块,被用在许多功率电子电路,尤其是逆变电焊机、电镀电源以及变频器等电路中。半导体器件有很多封装型式,从芯片级封装到系统封装再到晶片级封装技术指标越来越先进,封装对于芯片说是必须的,也是至关重要的。封装是安装半导体集成电路芯片的外壳,不仅起着保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁和规格通用功能的作用,封装的 ...
【技术保护点】
一种非绝缘型FRD模块的封装结构,其特征在于:包括散热底板、DBC基板、FRD芯片、连桥、功率端子及壳体,所述DBC基板和FRD芯片分别焊接在散热底板上,所述功率端子焊接在DBC基板上,所述DBC基板通过连桥与FRD芯片连接;所述壳体安装在散热底板上,且功率端子的上端延伸出壳体。
【技术特征摘要】
1.一种非绝缘型FRD模块的封装结构,其特征在于:包括散热底板、DBC基板、FRD芯片、
连桥、功率端子及壳体,所述DBC基板和FRD芯片分别焊接在散热底板上,所述功率端子焊接
在DBC基板上,所述DBC基板通过连桥与FRD芯片连接;所述壳体安装在散热底板上,且功率
端子的上端延伸出壳体。
2.根据权利要求1所述的一种非绝缘型FRD模块的封装结构,其特征在于:所述功率端
子通过环氧树脂与壳体融合在一起,所述壳体底部空间注入有硅凝胶,覆盖于散热底板、
DBC基板、FRD芯片、连桥之上。
3.根据权利要求2所述的一种非绝缘型FRD模块的封装结构,其特征在于:所述壳...
【专利技术属性】
技术研发人员:金暎柱,
申请(专利权)人:南京晟芯半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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