在硅基底中形成绝缘膜的方法技术

使用浅槽隔离法在硅基底中形成绝缘膜的方法，包括：依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜；将上述沉积的膜制出图案，以露出基底的一部份，其相当于电场区；蚀刻基底露出的部份以形成一沟槽；在基底上沉积ＨＤＰ氧化物膜，沉积的厚度与前述沉积的多层膜的总厚度相同，深度与沟槽深度相同以填充沟槽；于ＨＤＰ氧化物膜上形成反掩模，其覆盖了电场区与作用区的一部份，并且从作用区的边缘向内延伸预定距离；使用反掩模作为蚀刻阻挡物，蚀刻在作用区上形成的ＨＤＰ氧化物膜的露出部份；去除反掩模；对ＨＤＰ氧化物膜与多晶硅膜进行ＣＭＰ；和去除焊接点氮化物膜。由于没有使用氧化物蚀刻剂来去除焊接点氮化物膜，基本上可抑制沟槽的形成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用浅槽隔离(shallow trench isolation，STI)法。更特别地，本专利技术涉及一种，其可增进沟槽填充氧化物膜(trench-filling oxide film)的化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，CMP)的均匀度，且同时抑制了沟槽(moat)的形成。
技术介绍
众所周知在最近的半导体组件中，用于元件之间提供电绝缘的绝缘膜是使用浅槽隔离过程形成的。在传统的LOCOS过程中，在绝缘膜的上部边缘形成鸟嘴(bird’s peak)使得作用区(active region)变小，另一方面，在STI过程中，可形成狭窄宽度的绝缘膜，以确保作用区的大小，因此，使用STI过程取代LOCOS过程。以下，简要说明使用STI过程来形成绝缘膜的传统方法。首先，在硅基底上连续形成焊接点氧化物膜(pad oxide film)与焊接点氮化物膜，然后形成图案(patterned)以暴露出基底的一部份，其相当于电场区(field region)。然后，蚀刻基底暴露的部份形成沟槽，其后，对所得的基底进行牺牲氧化过程(sacrificial本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在硅基底中形成绝缘膜的方法，包括下列步骤：　　　　依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜；　　　　将所述多晶硅膜、焊接点氮化物膜与焊接点氧化物膜制出图案，以露出基底的一部份，其相当于基底的电场区；　　　　蚀刻基底露出的部份以形成浅沟；　　　　在得到的基底上沉积ＨＤＰ氧化物膜，所沉积的厚度与所述沉积的各层膜的总厚度相同，深度与沟槽深度相同以填充沟槽；　　　　在ＨＤＰ氧化物膜上形成反掩模，其覆盖了电场区和与电场区相邻的作用区的一部份，并且从作用区边缘向内延伸预定距离；　　　　使用反掩模作为蚀刻阻挡物，蚀刻在作用区上形成的ＨＤＰ氧化物膜的露出部份；　　　　去除反掩模；　　　　...

【技术特征摘要】
KR 2002-10-31 67024/021.一种在硅基底中形成绝缘膜的方法，包括下列步骤依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜；将所述多晶硅膜、焊接点氮化物膜与焊接点氧化物膜制出图案，以露出基底的一部份，其相当于基底的电场区；蚀刻基底露出的部份以形成浅沟；在得到的基底上沉积HDP氧化物膜，所沉积的厚度与所述沉积的各层膜的总厚度相同，深度与沟槽深度相同以填充沟槽；在HDP氧化物膜上形成反掩模，其覆盖了电场区和与电场区相邻的作用区的一部份，并且从作用区边缘向内延伸预定距离；使用反掩模作为蚀刻阻挡物，蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份；去除反掩模；对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行化学机...

【专利技术属性】
技术研发人员：金奉千，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]